[发明专利]绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底

摘要

本发明公开了一种绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅射频器件中，在高电阻率硅基板的靠近埋入氧化层的表面处设置有凹坑，凹坑内可以填充绝缘物质，这样可以增大高电阻率硅基板的等效表面电阻；凹坑内也可以不填充绝缘物质，即凹坑内保持在真空状态或仅填充有空气，这样同样可以增大高电阻率硅基板的等效表面电阻，因而能够减少在射频信号作用下高电阻率硅基板表面涡流的产生，减少了射频信号的损耗，提高了绝缘体上硅射频器件的射频信号的线性度。

主权项

一种绝缘体上硅射频器件，其特征在于，包括：绝缘体上硅衬底，包括高电阻率硅基板、顶层硅及设置在所述高电阻率硅基板与顶层硅之间的埋入氧化层，所述顶层硅中至少形成有两个有源区，相邻两个所述有源区被浅沟槽隔离结构隔离；设置在所述绝缘体上硅衬底内、数量至少为一个的第一凹坑，所述第一凹坑的开口设置在所述高电阻率硅基板的远离所述埋入氧化层的表面，所述第一凹坑沿着所述绝缘体上硅衬底的厚度方向延伸并至少贯穿所述高电阻率硅基板；形成在所述顶层硅及浅沟槽隔离结构上的金属互连结构，其包括形成在所述顶层硅及浅沟槽隔离结构上的层间介质层及位于所述层间介质层上方的金属层。