[发明专利]绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底

权利要求书

1.一种绝缘体上硅射频器件，其特征在于，包括：

绝缘体上硅衬底，包括高电阻率硅基板、顶层硅及设置在所述高电阻率硅基板与顶层硅之间的埋入氧化层，所述顶层硅中至少形成有两个有源区，相邻两个所述有源区被浅沟槽隔离结构隔离；

设置在所述绝缘体上硅衬底内、数量至少为一个的第一凹坑，所述第一凹坑的开口设置在所述高电阻率硅基板的远离所述埋入氧化层的表面，所述第一凹坑沿着所述绝缘体上硅衬底的厚度方向延伸并至少贯穿所述高电阻率硅基板；

形成在所述顶层硅及浅沟槽隔离结构上的金属互连结构，其包括形成在所述顶层硅及浅沟槽隔离结构上的层间介质层及位于所述层间介质层上方的金属层。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，至少有一个所述第一凹坑设置在所述浅沟槽隔离结构正下方。

3.根据权利要求2所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构正下方的第一凹坑刚好贯穿所述高电阻率硅基板；或者，所述浅沟槽隔离结构正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板及部分所述埋入氧化层；或者，所述浅沟槽隔离结构正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板及所述埋入氧化层；或者，所述浅沟槽隔离结构正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板、所述埋入氧化层及部分所述浅沟槽隔离结构。

4.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，至少有一个所述第一凹坑设置在所述有源区正下方。

5.根据权利要求4所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述有源区正下方的第一凹坑刚好贯穿所述高电阻率硅基板；或者，所述有源区正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板及部分所述埋入氧化层；或者，所述有源区正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板及所述埋入氧化层。

6.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述第一凹坑的数量至少为两个，至少有一个所述第一凹坑设置在所述浅沟槽隔离结构正下方，至少有一个所述第一凹坑设置在所述有源区正下方。

7.根据权利要求6所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，

所述浅沟槽隔离结构正下方的第一凹坑刚好贯穿所述高电阻率硅基板，或者，所述浅沟槽隔离结构正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板及部分所述埋入氧化层，或者，所述浅沟槽隔离结构正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板及所述埋入氧化层，或者，所述浅沟槽隔离结构正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板、所述埋入氧化层及部分所述浅沟槽隔离结构；

所述有源区正下方的第一凹坑刚好贯穿所述高电阻率硅基板；或者，所述有源区正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板及部分所述埋入氧化层；或者，所述有源区正下方的第一凹坑贯穿所述高电阻率硅基板及所述埋入氧化层。

8.根据权利要求1至7任一项所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述第一凹坑为通孔或沟槽。

9.根据权利要求8所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述第一凹坑为通孔且其数量至少为两个，相邻两个通孔间隔设置；或者，所述第一凹坑为沟槽且其数量至少为两个，相邻两个沟槽间隔设置或交叉设置。

10.根据权利要求1至7任一项所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述第一凹坑内填充有绝缘材料，或者，所述第一凹坑内未填充材料。

11.根据权利要求10所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述第一凹坑内填充有绝缘材料，所述绝缘材料为氧化硅或氮化硅。

12.根据权利要求1至7任一项所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，还包括设置在所述绝缘体上硅衬底内、数量至少为一个的第二凹坑，所述第二凹坑的开口设置在所述浅沟槽隔离结构的远离所述埋入氧化层的表面，所述第二凹坑沿着所述绝缘体上硅衬底的厚度方向延伸，并贯穿所述浅沟槽隔离结构、埋入氧化层及部分所述高电阻率硅基板，所述第二凹坑内填充有绝缘材料。

13.根据权利要求12所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述绝缘材料为氧化硅或氮化硅。

14.根据权利要求12所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述第二凹坑贯穿所述高电阻率硅基板厚度的百分之一至百分之九十。