[发明专利]镀膜方法及装置有效
申请号: | 201210562933.0 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103014672A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 郑文达;吴础任 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种镀膜方法及装置,所述镀膜方法包括步骤:对待镀件的待镀膜区加热;在所述待镀件加热后的待镀膜区镀膜。从而,通过预先对待镀件的待镀膜区加热,以提高该待镀膜区的温度,减小该待镀膜区与镀膜气流之间的温差,避免镀膜气流中的混合物于待镀件的待镀膜区结晶,从而镀膜层与待镀件之间没有结晶物的阻隔,镀膜层直接紧密附着于待镀膜区上,提高了镀膜的成功率和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 镀膜 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种镀膜方法,其特征在于,包括步骤:对待镀件的待镀膜区加热;在所述待镀件加热后的待镀膜区镀膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的