[发明专利]镀膜方法及装置有效

专利信息
申请号: 201210562933.0 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103014672A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 郑文达;吴础任 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶面板技术领域,尤其涉及一种镀膜方法和镀膜装置。 

背景技术

液晶面板包括阵列基板、彩色滤光片基板及设置在二者之间的液晶层。阵列基板是液晶面板的重要组成元件之一。在阵列基板上设置有若干信号线,如数据线、扫描线等。由于各种原因,阵列基板的信号线会存在断线缺陷,即信号线存在断路。为提高阵列基板的良率,需要利用镀膜装置在断线缺陷的区域补镀金属镀膜层,以修复断开的信号线。

在补镀金属镀膜层时,由于镀膜装置向阵列基板上传送的镀膜气流是高温熔融的混合物,而阵列基板则是处于常温下,因此阵列基板与镀膜气流的温差很大,导致镀膜气流中的混合物接触阵列基板后会形成结晶物。当结晶物落在待镀膜区域时,会使得镀膜层与阵列基板之间被结晶物阻隔,镀膜层不能紧密附着于阵列基板上,从而使镀膜层不牢固,容易从阵列基板上剥离,导致镀膜失败,降低了阵列基板的良率。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种镀膜方法及装置,旨在提高镀膜的成功率和稳定性。

为达以上目的,本发明提出一种镀膜方法,包括步骤:

对待镀件的待镀膜区加热;

在所述待镀件加热后的待镀膜区镀膜。

优选地,所述对待镀件的待镀膜区加热包括:

利用激光加热装置或电阻加热装置对待镀件的待镀膜区加热。

优选地,所述对待镀件的待镀膜区加热包括:

发射激光并把该激光汇聚于待镀件的待镀膜区,以对该待镀膜区加热。

优选地,所述对待镀件的待镀膜区加热包括:

加热气体并把加热后的气体吹向待镀件的待镀膜区,以对该待镀膜区加热。

本发明同时提出一种镀膜装置,包括加热单元和镀膜单元,所述加热单元用于对待镀件的待镀膜区加热,所述镀膜单元用于在待镀件加热后的待镀膜区镀膜。

优选地,所述加热单元为激光加热单元或电阻加热单元。

优选地,所述加热单元为激光加热单元,包括激光发射器和聚光件,所述激光发射器发射的激光经聚光件汇聚后照射于所述待镀件的待镀膜区。

优选地,所述镀膜单元包括一阻隔玻璃,所述激光加热单元和镀膜单元位于所述待镀件的同一侧,且所述阻隔玻璃采用聚光玻璃以充当所述激光加热单元的聚光件。

优选地,所述加热单元为电阻加热单元,包括导热管、设于导热管内的发热电阻和鼓风件,所述鼓风件对所述导热管内部吹风,吹入的气体被发热电阻加热后经导热管导向所述待镀件的待镀膜区。

优选地,所述加热单元和镀膜单元并列设置位于所述待镀件的同一侧或相对设置分置于所述待镀件的两侧。

本发明所提供的一种镀膜方法,通过预先对待镀件的待镀膜区加热,以提高该待镀膜区的温度,减小该待镀膜区与镀膜气流之间的温差,避免镀膜气流中的混合物于待镀件的待镀膜区结晶,从而镀膜层与待镀件之间没有结晶物的阻隔,镀膜层直接紧密附着于待镀件的待镀膜区上,提高了镀膜的成功率和稳定性。

附图说明

图1是本发明的镀膜方法第一实施例的流程图;

图2是本发明的镀膜方法第二实施例的流程图;

图3 是本发明的镀膜装置的结构示意图;

图4 是本发明的镀膜装置第一实施例的结构示意图;

图5是本发明的镀膜装置第二实施例的结构示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

参见图1,提出本发明的镀膜方法一实施例,所述镀膜方法包括:

步骤S101、对待镀件的待镀膜区加热。

在镀膜之前,先对待镀件的待镀膜区加热,以提高待镀件的待镀膜区的温度,减小待镀件的待镀膜区与镀膜气流的温差。

可以利用激光加热装置、电阻加热装置等加热装置对待镀件的待镀膜区加热,加热装置可以与镀膜装置设为一体,也可以分体设置;加热装置与镀膜装置可以并列设置,位于待镀件的同一侧对该待镀件加热以及在该待镀件上镀膜;加热装置与镀膜装置也可以相对设置,分置于待镀件的两侧。

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