[发明专利]一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法有效
| 申请号： | 201210559913.8 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103117093B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘鑫;赵发展;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法，包含：所述交织SRAM的交织距离为m个存储单元，所述存储单元即bit；以连续n个存储单元为一擦洗单位，将所述交织SRAM顺序划分成若干个擦洗单位，并将位于奇数位的擦洗单位设为第一擦洗部分，余下的设为擦洗第二部分；依次循环对所述第一部擦洗分和第二擦洗部分进行擦洗；利用位于所述交织SRAM外围的SEC电路对每个字节内的单个错位进行纠正；使每个字节相邻的两个存储单元在前后两轮擦洗中。本发明提供的擦洗方法，解决了现有的擦洗方法存在的擦洗效率低、没有有效利用SEC电路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 交织 sram 错误 累积 效应 擦洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法，包含：所述交织SRAM的交织距离为m个存储单元，所述存储单元即bit；以连续n个存储单元为一擦洗单位，将所述交织SRAM顺序划分成若干个擦洗单位，并将位于奇数位的擦洗单位设为第一擦洗部分，余下的设为第二擦洗部分；所述交织距离m为4时，每个擦洗单位的存储单元个数包含3或4；依次循环对所述第一擦洗部分和第二擦洗部分进行擦洗；在每轮擦洗中对未擦洗的存储单元，利用位于所述交织SRAM外围的SEC电路对每个字节内的单个错位进行纠正；其特征在于，所述擦洗方法还包含：使每个字节相邻的两个存储单元在前后两轮擦洗中。
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