[发明专利]一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法

权利要求书

1.一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法，包含：

所述交织SRAM的交织距离为m个存储单元，所述存储单元即bit；

以连续n个存储单元为一擦洗单位，将所述交织SRAM顺序划分成若干个擦洗单位，并将位于奇数位的擦洗单位设为第一擦洗部分，余下的设为第二擦洗部分；所述交织距离m为4时，每个擦洗单位的存储单元个数包含3或4；

依次循环对所述第一擦洗部分和第二擦洗部分进行擦洗；

在每轮擦洗中对未擦洗的存储单元，利用位于所述交织SRAM外围的SEC电路对每个字节内的单个错位进行纠正；

其特征在于，所述擦洗方法还包含：

使每个字节相邻的两个存储单元在前后两轮擦洗中。

2.如权利要求1所述的擦洗方法，其特征在于：

所述每个擦洗单位的存储单元个数小于或等于m。

3.如权利要求2所述的擦洗方法，其特征在于：

所述交织距离m为8，所述每个擦洗单位的存储单元个数包含8。