[发明专利]像素结构、阵列基板、显示装置及像素结构的制造方法在审
申请号: | 201210556491.9 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN103885261A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 薛海林;王磊;李月;曹起;薛艳娜 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王黎延;任媛 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种像素结构,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、栅线、数据线、公共线、像素电极和公共电极;其中,所述第一薄膜晶体管的栅极连接栅线,漏极连接像素电极,源极连接数据线;所述第二薄膜晶体管的栅极连接栅线,漏极连接公共电极,源极连接公共线。本发明还相应地公开了一种阵列基板、显示装置及像素制造方法。通过本发明,能够使像素电极和公共电极都产生完全相同的跳变电压,以保持液晶上的电压差不发生变化,从而完全消除了耦合电容导致的跳变电压对液晶显示的影响,避免画面闪烁及画面显示不均匀的情况,提高画面品质。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 阵列 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,该像素结构包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、栅线、数据线、公共线、像素电极和公共电极;其中,所述第一薄膜晶体管的栅极连接栅线,漏极连接像素电极,源极连接数据线,栅线控制所述第一薄膜晶体管导通后,像素电极在所述第一薄膜晶体管导通时间内充电,所述第一薄膜晶体管截止时,像素电极上产生第一跳变电压;所述第二薄膜晶体管的栅极连接栅线,漏极连接公共电极,源极连接公共线,栅线控制所述第二薄膜晶体管导通后,公共电极在所述第二薄膜晶体管导通时间内充电,所述第二薄膜晶体管截止时,公共电极上产生第二跳变电压;所述第二跳变电压与所述第一跳变电压的幅值和方向相同。
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