[发明专利]像素结构、阵列基板、显示装置及像素结构的制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，该像素结构包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、栅线、数据线、公共线、像素电极和公共电极；其中，

所述第一薄膜晶体管的栅极连接栅线，漏极连接像素电极，源极连接数据线，栅线控制所述第一薄膜晶体管导通后，像素电极在所述第一薄膜晶体管导通时间内充电，所述第一薄膜晶体管截止时，像素电极上产生第一跳变电压；

所述第二薄膜晶体管的栅极连接栅线，漏极连接公共电极，源极连接公共线，栅线控制所述第二薄膜晶体管导通后，公共电极在所述第二薄膜晶体管导通时间内充电，所述第二薄膜晶体管截止时，公共电极上产生第二跳变电压；

所述第二跳变电压与所述第一跳变电压的幅值和方向相同。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构的像素电极和公共电极同层设置，像素电极和公共电极分别通过钝化层上的过孔与第一薄膜晶体管的第一漏极、第二薄膜晶体管的第二漏极连接。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构的像素电极和公共电极设置于不同层，所述像素电极直接与第一薄膜晶体管的第一漏极连接，公共电极通过钝化层上的过孔与第二薄膜晶体管的第二漏极连接。

4.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括权利要求1至3任一项所述的像素结构。

5.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括权利要求4所述的阵列基板。

6.一种像素结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：

在基板上形成包括第一栅极和第二栅极的图形；

在完成前述步骤的基板上形成栅极绝缘层的图形；

在完成前述步骤的基板上形成有源层，包括第一有源单元和第二有源单元；

在完成前述步骤的基板上形成包括第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极的图形；

在完成前述步骤的基板上形成包括像素电极和公共电极的图形，所述像素电极与第一漏极相连，所述公共电极与第二漏极相连。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在完成前述步骤的基板上形成包括像素电极和公共电极的图形，所述像素电极与第一漏极相连，所述公共电极与第二漏极相连，包括：

先制作像素电极，使像素电极与第一漏极相连；

在完成像素电极后，形成钝化层，并通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于第二漏极的所在位置；

在钝化层的基板上形成透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过钝化层过孔与第二漏极连接。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在完成前述步骤的基板上形成包括像素电极和公共电极的图形，所述像素电极与第一漏极相连，所述公共电极与第二漏极相连，包括：

形成钝化层，并通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔分别位于第一漏极和第二漏极的所在位置；

在完成前述步骤的基板上形成透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极和像素电极图形，所述像素电极通过钝化层过孔与第一漏极连接，所述公共电极通过钝化层过孔与第二漏极相连。