[发明专利]像素结构、阵列基板、显示装置及像素结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种像素结构、阵列基板、显示装置及像素结构的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD主要由对盒的阵列基板和彩膜基板构成，其中阵列基板上形成有栅线（Gate线）、数据线（Data线）、像素电极和薄膜晶体管，每个像素电极由薄膜晶体管控制。当薄膜晶体管导通时，像素电极在导通时间内充电，薄膜晶体管截止后，像素电极电压将维持到下一次扫描时重新充电。

目前，各大厂商正逐渐将显示效果更优良的各种广视角技术应用于移动性产品中，比如IPS（In-Plane Switching，共面转换）、AD-SDS（Advanced-SuperDimensional Switching，高级超维场开关，简称为ADS）等广视角技术。在IPS模式下，通过同一平面内像素电极和公共电极形成水平电场；在ADS模式下，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与不同层的板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。图1为现有技术中IPS像素结构的俯视图，图2为沿图1中A-A’线的截面图，图3为现有技术中ADS像素结构的俯视图，图4为沿图3中B-B’线的截面图，可以看出，现有技术普遍采用单栅结构，即一个像素中仅有一个薄膜晶体管，用于连接像素电极，由于薄膜晶体管中漏电极与栅电极之间存在重叠，导致薄膜晶体管存在耦合电容Cgd。在薄膜晶体管截止的瞬间，该耦合电容Cgd上存储的电荷Qgd发生改变，引起像素电极上的电荷分布发生变化，从而使加载在像素电极上的电压发生变化，导致像素电极产生跳变电压ΔVp，而驱动液晶偏转的电压是像素电极和公共电极的压差，由于公共电极的电压恒定，因此液晶两端的压差实际产生了跳变电压ΔVp，从而会引起画面闪烁。

另外，在实际生产中，由于工艺和设备的不稳定，使同一母板不同位置处漏电极与栅电极之间的重叠面积大小不均，引起耦合电容Cgd大小不等，造成每个像素电极产生的跳变电压ΔVp不同，进而造成像素电极电压的不规则分布，使画面显示不均匀，严重影响画面品质。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种像素结构、阵列基板、显示装置及像素结构的制造方法，能够避免画面闪烁及画面显示不均匀的情况，提高画面品质。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种像素结构，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、栅线、数据线、公共线、像素电极和公共电极；其中，

所述第一薄膜晶体管的栅极连接栅线，漏极连接像素电极，源极连接数据线，栅线控制所述第一薄膜晶体管导通后，像素电极在所述第一薄膜晶体管导通时间内充电，所述第一薄膜晶体管截止时，像素电极上产生第一跳变电压；

所述第二薄膜晶体管的栅极连接栅线，漏极连接公共电极，源极连接公共线，栅线控制所述第二薄膜晶体管导通后，公共电极在所述第二薄膜晶体管导通时间内充电，所述第二薄膜晶体管截止时，公共电极上产生第二跳变电压；

所述第二跳变电压与所述第一跳变电压的幅值和方向相同。

所述像素结构的像素电极和公共电极同层设置，像素电极和公共电极分别通过钝化层上的过孔与第一薄膜晶体管的第一漏极、第二薄膜晶体管的第二漏极连接。

所述像素结构的像素电极和公共电极设置于不同层，所述像素电极直接与第一薄膜晶体管的第一漏极连接，公共电极通过钝化层上的过孔与第二薄膜晶体管的第二漏极连接。

一种阵列基板，包括上述的像素结构。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

一种像素结构的制造方法，包括：

在基板上形成包括第一栅极和第二栅极的图形；

在完成前述步骤的基板上形成栅极绝缘层的图形；

在完成前述步骤的基板上形成有源层，包括第一有源单元和第二有源单元；

在完成前述步骤的基板上形成包括第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极的图形；

在完成前述步骤的基板上形成包括像素电极和公共电极的图形，所述像素电极与第一漏极相连，所述公共电极与第二漏极相连。

所述在完成前述步骤的基板上形成包括像素电极和公共电极的图形，所述像素电极与第一漏极相连，所述公共电极与第二漏极相连，包括：