[发明专利]非挥发性存储器的读时序产生电路在审
| 申请号： | 201210546444.6 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871444A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 沈文超;刘芳芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非挥发性存储器的读时序产生电路，利用了标准时钟下降沿分频产生读时钟，再由半个周期后的标准时钟上升沿来产生读时序，实现了延迟时间由数字信号控制，省去了传统采用的通过门延迟产生的另一个时钟信号，消除了由于温度、电压、工艺角等因素对地址建立及内部寄存器锁存数据所预留的时间的影响，防止内部锁存器工作不稳定从而导致的读失效。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 时序 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种非挥发性存储器的读时序产生电路，用于给存储器提供控制时钟信号，所述存储器内部包含读时序控制模块、灵敏放大器、地址选择模块以及存储阵列；地址选择模块选中存储阵列中的地址，存储阵列将选中地址的数据输出至灵敏放大器，读时序控制模块控制灵敏放大器进行数据输出；其特征在于：所述读时序控制模块接收两路控制时钟，一路为外部标准时钟直接输入，另一路为外部标准时钟经过一分频器分频为读时钟后输入；所述分频器分频后产生的读时钟还提供给所述地址选择模块。
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