[发明专利]非挥发性存储器的读时序产生电路在审

专利信息
申请号: 201210546444.6 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN103871444A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 沈文超;刘芳芳 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 挥发性 存储器 时序 产生 电路
【权利要求书】:

1.一种非挥发性存储器的读时序产生电路,用于给存储器提供控制时钟信号,所述存储器内部包含读时序控制模块、灵敏放大器、地址选择模块以及存储阵列;地址选择模块选中存储阵列中的地址,存储阵列将选中地址的数据输出至灵敏放大器,读时序控制模块控制灵敏放大器进行数据输出;其特征在于:

所述读时序控制模块接收两路控制时钟,一路为外部标准时钟直接输入,另一路为外部标准时钟经过一分频器分频为读时钟后输入;

所述分频器分频后产生的读时钟还提供给所述地址选择模块。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的读时序产生电路,其特征在于:所述读时钟是分频器利用标准时钟的下降沿分频产生,再由半个标准时钟周期之后的标准时钟上升沿产生读时序。

3.如权利要求2所述的非挥发性存储器的读时序产生电路,其特征在于:读数据时,利用产生的读时序的上升沿来建立地址信号,在地址信号建立完成后的第一个标准时钟上升沿开始读数据。

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