[发明专利]用于半导体再生长的方法在审
| 申请号： | 201210546096.2 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103187306A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 万政典;林佑儒;李宜静;吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 对第一半导体区的表面实施处理，其中使用包括含氧气体和用于蚀刻半导体材料的蚀刻气体的工艺气体实施该处理。实施外延以在第一半导体区的表面上生长第二半导体区。本发明还公开了用于半导体再生长的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 再生 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：对第一半导体区的表面实施处理，其中使用工艺气体实施所述处理，所述工艺气体包括：含氧气体；和能够蚀刻所述第一半导体区的蚀刻气体；以及实施外延以在所述第一半导体区的所述表面上生长第二半导体区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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