[发明专利]用于半导体再生长的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

对第一半导体区的表面实施处理，其中使用工艺气体实施所述处理，所述工艺气体包括：

含氧气体；和

能够蚀刻所述第一半导体区的蚀刻气体；以及

实施外延以在所述第一半导体区的所述表面上生长第二半导体区。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述含氧气体从基本上由氧气(O₂)、臭氧(O₃)以及它们的组合所组成的组中选择。

3.一种方法，包括：

蚀刻半导体衬底以形成凹槽，其中，所述半导体衬底包括位于所述凹槽中的顶面；

对所述顶面实施处理，其中使用工艺气体实施所述处理，所述工艺气体包括：

含氧气体；和

能够蚀刻所述半导体衬底的蚀刻气体；

在所述处理之后，对所述顶面实施清洁；以及

在所述处理之后，实施外延以在所述凹槽中生长半导体区。

4.如权利要求3所述的方法，进一步包括：

形成从所述半导体衬底的顶面延伸入所述半导体衬底中的浅沟槽隔离(STI)区，其中在蚀刻所述半导体衬底的步骤期间，蚀刻所述半导体衬底位于所述STI区的相对侧壁之间的部分以形成凹槽；以及

在实施所述外延的步骤之后，对所述STI区开槽。

5.如权利要求3所述的方法，进一步包括：

在蚀刻所述半导体衬底的步骤之前，在所述半导体衬底上方形成栅极堆叠件；以及

在所述栅极堆叠件的相对侧上形成间隔件，其中使用所述间隔件作为蚀刻掩模实施所述蚀刻的步骤，并且其中所述半导体区形成所述晶体管的源极和漏极应激源区。

6.一种方法，包括：

形成从硅衬底的顶面延伸入所述硅衬底中的浅沟槽隔离(STI)区；

蚀刻所述硅衬底位于所述STI区的相对侧壁之间的部分以形成凹槽，其中所述硅衬底包括位于所述凹槽中的顶面；

对所述顶面实施处理，其中使用包括CF₄和O₂的工艺气体来实施所述处理；

在所述处理之后，对所述硅衬底的所述顶面实施清洁；以及

实施外延以在所述凹槽中生长含锗半导体区，其中所述含锗半导体区自所述凹槽中的所述顶面生长。

7.如权利要求6所述的方法，其中，O₂的流速与CF₄和O₂的总流速的流速比大于大约1％。

8.如权利要求6所述的方法，其中，所述处理包括等离子体处理。

9.如权利要求6所述的方法，其中，在所述处理期间，所述硅衬底被加热到在大约150℃和大约300℃之间的温度。

10.如权利要求6所述的方法，进一步包括形成鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

在所述外延之后，对所述STI区开槽，其中位于被开槽的STI区上方的含锗半导体区的顶部形成鳍状件；

在所述鳍状件的侧壁和顶部上形成栅极介电层；以及

在所述栅极介电层上方形成栅电极。