[发明专利]静电防护装置及其芯片有效
申请号: | 201210546072.7 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103035624A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 叶兆屏;胥小平;朱志牛;沓世我;张富启 | 申请(专利权)人: | 广东风华芯电科技股份有限公司;广东风华高新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 510000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种静电防护装置及使用该静电防护装置的芯片。该静电防护装置包括衬底、形成于衬底上的提供静电放电电路的静电防护元件及形成于静电防护元件上的焊盘。静电防护元件包括至少一个电阻或电容,静电防护元件与焊盘之间形成多晶硅层,焊盘与多晶硅层之间形成介质层。静电防护元件的至少一个电阻或电容由多晶硅层、介质层及焊盘提供。该静电防护装置采用多晶硅层、介质层及焊盘之间形成的电容与电阻来作为该静电防护装置需要的电容与电阻,从而减小了该静电防护装置所占用的面积,节省了成本。 | ||
搜索关键词: | 静电 防护 装置 及其 芯片 | ||
【主权项】:
一种静电防护装置,包括衬底、形成于所述衬底上的提供静电放电电路的静电防护元件及形成于所述静电防护元件上的焊盘,所述静电防护元件包括至少一个电阻或电容,其特征在于,所述静电防护元件与所述焊盘之间形成多晶硅层,所述焊盘与所述多晶硅层之间形成介质层,所述至少一个电阻或电容由所述多晶硅层、介质层及焊盘提供。
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