[发明专利]静电防护装置及其芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，特别是涉及一种静电防护装置及其芯片。

背景技术

在芯片上，静电防护装置的作用是防止芯片上的半导体器件因受到静电放电的影响而损坏或者失效，从而防止整个芯片被损坏或失效。常用的芯片上一般都会设计静电防护装置来防止芯片因受到静电的影响而损坏或失效。静电防护装置一般会包括电容或者电阻等元件，而且这些电容与电阻的值还会比较大。因而，在芯片上这些电容与电阻元件就会占用静电防护装置所应用的芯片较大的面积，从而增加了芯片的成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种静电防护装置及其芯片，其占用芯片面积较小，节约成本。

一种静电防护装置，包括衬底、形成于所述衬底上的提供静电放电电路的静电防护元件及形成于所述静电防护元件上的焊盘，所述静电防护元件包括至少一个电阻或电容，所述静电防护元件与所述焊盘之间形成多晶硅层，所述焊盘与所述多晶硅层之间形成介质层，所述至少一个电阻或电容由所述多晶硅层、介质层及焊盘提供。

在其中一个实施例中，所述介质层为氧化层。

在其中一个实施例中，所述多晶硅层为相互分割的多个多晶硅层。

在其中一个实施例中，所述多个多晶硅层在所述静电防护装置上所占用的面积不同。

在其中一个实施例中，所述多个多晶硅层均为矩形，所述多个多晶硅层的长与宽的比值不同。

一种芯片包括核心电路元件和与所述核心电路元件相连的静电防护装置，所述静电防护装置包括衬底、形成与所述衬底上的提供静电放电电路的静电防护元件及形成于所述静电防护元件上的焊盘，所述静电防护元件包括至少一个电阻或电容，所述静电防护元件与所述焊盘之间形成多晶硅层，所述焊盘与所述多晶硅层之间形成介质层，所述至少一个电阻或电容由所述多晶硅层与所述焊盘提供。

在其中一个实施例中，所述介质层为氧化层。

在其中一个实施例中，所述多晶硅层为相互分割的多个多晶硅层。

在其中一个实施例中，所述多个多晶硅层在所述静电防护装置上所占用的面积不同。

在其中一个实施例中，所述多个多晶硅层均为矩形，所述多个多晶硅层的长与宽的比值不同。

上述静电防护装置在焊盘与静电防护元件之间形成一层多晶硅层，该多晶硅层与焊盘之间形成有介质层，这样多晶硅层与焊盘之间就形成了电容，多晶硅层形成了电阻。该静电防护装置所需要的电容与电阻就可以采用多晶硅层、介质层、焊盘之间形成的电容以及多晶硅层形成的电阻，从而减小了该静电防护装置所占用的面积，节省了成本。

附图说明

图1为一个实施例的静电防护装置结构示意图。

具体实施方式

请参考图1，一个实施例提供一种静电防护装置100。该静电防护装置100包括衬底110、形成于该衬底110上的提供静电放电电路的静电防护元件120及形成于该静电防护元件120上的焊盘130。该静电防护元件120包括至少一个电阻或电容。静电防护元件120与焊盘130之间形成多晶硅层140，焊盘130与多晶硅层140之间形成介质层（图中未绘示）。该静电防护元件120的至少一个电阻或电容由多晶硅层140、介质层及焊盘130提供。

多晶硅层140、介质层及焊盘130可以形成一个三层结构，其中多晶硅层140与焊盘130形成电容的两个金属极板，介质层形成电容的电介质。这样多晶硅层140、介质层及焊盘130形成的三层结构就形成了电容。所形成的电容的容值可以通过调节多晶硅层140与焊盘130的重叠面积或者调节介质层的材料与厚度等方式进行调节。

多晶硅层140可以用来形成电阻。多晶硅层140形成的电阻的阻值可以通过调整多晶硅层的长度与宽度进行调节。

这样，该静电防护装置100为了实现静电防护的功能所需要的电阻与电容就可以采用多晶硅层140、介质层及焊盘130所形成的电阻与电容，而无需再单独去在衬底110上做出电阻与电容。该静电防护装置100所占用的面积就能减少，制造成本也会因此降低。

在该实施例中，该静电防护装置100的介质层为氧化层。多晶硅层140为相互分割的多个多晶硅层。这些相互分割的多个多晶硅层在该静电防护装置100上所占用的面积不同。这样就可以形成多个具有不同容值的电容。进一步的，这些相互分割的多个多晶硅层均为矩形，它们的长与宽的比值不同。这样这些相互分割的多个多晶硅层就可以作为不同阻值的电阻来使用。这些相互分割的多个多晶硅层的数量、面积、长宽比等都可以根据实际需要进行设计，以满足该静电防护装置100的需要。