[发明专利]静电防护装置及其芯片有效
| 申请号： | 201210546072.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103035624A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 叶兆屏;胥小平;朱志牛;沓世我;张富启 | 申请（专利权）人： | 广东风华芯电科技股份有限公司;广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 防护 装置 及其 芯片 | ||
1.一种静电防护装置，包括衬底、形成于所述衬底上的提供静电放电电路的静电防护元件及形成于所述静电防护元件上的焊盘，所述静电防护元件包括至少一个电阻或电容，其特征在于，所述静电防护元件与所述焊盘之间形成多晶硅层，所述焊盘与所述多晶硅层之间形成介质层，所述至少一个电阻或电容由所述多晶硅层、介质层及焊盘提供。
2.根据权利要求1所述的静电防护装置，其特征在于，所述介质层为氧化层。
3.根据权利要求1或2所述的静电防护装置，其特征在于，所述多晶硅层为相互分割的多个多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的静电防护装置，其特征在于，所述多个多晶硅层在所述静电防护装置上所占用的面积不同。
5.根据权利要求3所述的静电防护装置，其特征在于，所述多个多晶硅层均为矩形，所述多个多晶硅层的长与宽的比值不同。
6.一种芯片包括核心电路元件和与所述核心电路元件相连的静电防护装置，其特征在于，所述静电防护装置包括衬底、形成与所述衬底上的提供静电放电电路的静电防护元件及形成于所述静电防护元件上的焊盘，所述静电防护元件包括至少一个电阻或电容，所述静电防护元件与所述焊盘之间形成多晶硅层，所述焊盘与所述多晶硅层之间形成介质层，所述至少一个电阻或电容由所述多晶硅层与所述焊盘提供。
7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述介质层为氧化层。
8.根据权利要求6或7所述的芯片，其特征在于，所述多晶硅层为相互分割的多个多晶硅层。
9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述多个多晶硅层在所述静电防护装置上所占用的面积不同。
10.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述多个多晶硅层均为矩形，所述多个多晶硅层的长与宽的比值不同。
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