[发明专利]光伏器件有效
| 申请号： | 201210521008.3 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103165691B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 金英水;牟灿滨 | 申请（专利权）人： | 智基石盾科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,郭鸿禧 |
| 地址： | 美国弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光伏器件，该光伏器件包括衬底，所述衬底具有基极区和发射极区，所述基极区具有第一宽度，并且所述发射极区具有第二宽度；与所述基极区相接触并电连接至所述基极区的第一电极，在所述第一电极覆在所述基极区上的位置所述第一电极具有第三宽度，所述第三宽度大于所述第一宽度，使得所述第一电极在所述基极区的至少一侧处悬垂在所述基极区上；以及与所述发射极区相接触并且电连接至所述发射极区的第二电极，在所述第二电极覆在所述发射极区上的位置所述第二电极具有第四宽度，所述第三宽度与所述第四宽度的比率为大约0.3至大约3.4。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 | ||
【主权项】：
一种光伏器件，所述光伏器件包括：衬底，所述衬底具有基极区和发射极区，所述基极区具有第一宽度，并且所述发射极区具有第二宽度；与所述基极区相接触并电连接至所述基极区的第一电极，在所述第一电极覆在所述基极区上的位置所述第一电极具有第三宽度，所述第三宽度大于所述第一宽度，使得所述第一电极在所述基极区的至少一侧处悬垂在所述基极区上；以及与所述发射极区相接触并且电连接至所述发射极区的第二电极，在所述第二电极覆在所述发射极区上的位置所述第二电极具有第四宽度，所述第三宽度与所述第四宽度的比率为大于等于0.3并小于1.0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
