[发明专利]光伏器件

说明书

技术领域

各实施例涉及光伏器件。

背景技术

在光伏器件中，可以通过将n型（或p型）掺杂剂掺入p型（或n型）衬底而形成发射极，从而形成p-n结。在这种器件的操作中，（由接收的光形成的）电子空穴对被分离。然后，电子可以被n型区域的电极收集，并且空穴可以被p型区域的电极收集，从而产生电力。

发明内容

各实施例致力于一种光伏器件，该光伏器件包括：衬底，所述衬底具有基极区和发射极区，所述基极区具有第一宽度，并且所述发射极区具有第二宽度；与所述基极区相接触并电连接至所述基极区的第一电极，在所述第一电极覆在所述基极区上的位置所述第一电极具有第三宽度，所述第三宽度大于所述第一宽度，使得所述第一电极在所述基极区的至少一侧处悬垂在所述基极区上；以及与所述发射极区相接触并且电连接至所述发射极区的第二电极，在所述第二电极覆在所述发射极区上的位置所述第二电极具有第四宽度，所述第三宽度与所述第四宽度的比率为大约0.3至大约3.4。

所述第三宽度与所述第四宽度的比率可以为大约0.4至大约2.5。

所述衬底可以包括多个基极区和多个发射极区，所述多个基极区和所述多个发射极区被布置为交替的条纹，所述第一电极可以包括多个第一部分，所述第一电极的多个第一部分分别对应于所述多个基极区，并且所述第二电极可以包括多个第一部分，所述第二电极的多个第一部分分别对应于所述多个发射极区。

所述第一电极的第一部分中的每一个可以具有上部分和下部分，所述上部分具有所述第三宽度，并且所述下部分具有小于所述第三宽度的第五宽度，所述第五宽度对应于所述下部分与对应的基极区的接触界面，并且所述第二电极的第一部分中的每一个可以具有上部分和下部分，所述上部分具有所述第四宽度，并且所述下部分具有小于所述第四宽度的第六宽度，所述第六宽度对应于所述下部分与对应的发射极区的接触界面。

所述第一电极的第一部分可以通过所述第一电极的第二部分连接，并且所述第二电极的第一部分可以通过所述第二电极的第二部分连接。

所述第一电极的第一部分与所述第二电极的第一部分可交替布置。

所述基极区可以掺有第一导电类型的杂质，所述发射极区可以掺有第二导电类型的杂质，并且所述衬底可以掺有与所述基极区相同的导电类型的杂质。

所述基极区和所述发射极区可以形成在所述衬底中，或者所述基极区和所述发射极区可以形成在所述衬底上。

所述第一电极的悬垂在所述基极区上的侧部可以也与相邻的发射极区的一部分重叠。

所述第二宽度可以大于所述第一宽度。

所述光伏器件可以进一步包括介于所述第一电极的所述侧部与相邻的发射极区的所述一部分之间的绝缘层。

所述绝缘层包括可以第一层和第二层。

所述第一层和所述第二层可以由不同的材料形成。

所述第一层可以由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二层可以由聚合物形成。

所述第一层可以具有大约到大约的厚度，并且所述第二层可以具有大约0.5μm到大约30μm的厚度。

所述第一层可以由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二层可以由氧化硅或氮化硅形成。

所述第一层可以具有大约到大约的厚度，并且所述第二层可以具有大约到大约的厚度。

所述绝缘层可以是具有大约或更大厚度的单层。

所述第一电极可以通过所述绝缘层中的接触孔接触所述基极区，并且所述第二电极可以通过所述绝缘层中的另一接触孔接触所述发射极区。

所述衬底的与所述第一电极和所述第二电极相对的前表面上可以具有钝化层，所述钝化层由掺杂的非晶半导体材料形成。

附图说明

通过结合附图详细描述示例性实施例，各特征对于本领域技术人员来说将变得明显，附图中：

图1示出根据示例实施例的光伏器件的示意性透视图，并且图2示出沿图1的线II-II截取的剖视图。

图3示出用于解释宽度比C的概念性示意图。

图4示出显示根据第一电极与第二电极的宽度比的串联电阻的曲线图。

图5至图7示出根据其它示例实施例的光伏器件的示意性剖视图。

图8A至图12示出制造根据示例实施例的光伏器件的方法的各阶段的示意性剖视图。

具体实施方式