[发明专利]光伏器件

权利要求书

1.一种光伏器件，所述光伏器件包括：

衬底，所述衬底具有基极区和发射极区，所述基极区具有第一宽度，并且所述发射极区具有第二宽度；

与所述基极区相接触并电连接至所述基极区的第一电极，在所述第一电极覆在所述基极区上的位置所述第一电极具有第三宽度，所述第三宽度大于所述第一宽度，使得所述第一电极在所述基极区的至少一侧处悬垂在所述基极区上；以及

与所述发射极区相接触并且电连接至所述发射极区的第二电极，在所述第二电极覆在所述发射极区上的位置所述第二电极具有第四宽度，所述第三宽度与所述第四宽度的比率为大于等于0.3并小于1.0。

2.根据权利要求1所述的光伏器件，其中所述第三宽度与所述第四宽度的比率为大于等于0.4并小于1.0。

3.根据权利要求1所述的光伏器件，其中：

所述衬底包括多个基极区和多个发射极区，所述多个基极区和所述多个发射极区被布置为交替的条纹，

所述第一电极包括多个第一部分，所述第一电极的多个第一部分分别对应于所述多个基极区，并且

所述第二电极包括多个第一部分，所述第二电极的多个第一部分分别对应于所述多个发射极区。

4.根据权利要求3所述的光伏器件，其中：

所述第一电极的第一部分中的每一个具有上部分和下部分，所述上部分具有所述第三宽度，并且所述下部分具有小于所述第三宽度的第五宽度，所述第五宽度对应于所述下部分与对应的基极区的接触界面，并且

所述第二电极的第一部分中的每一个具有上部分和下部分，所述上部分具有所述第四宽度，并且所述下部分具有小于所述第四宽度的第六宽度，所述第六宽度对应于所述下部分与对应的发射极区的接触界面。

5.根据权利要求3所述的光伏器件，其中所述第一电极的第一部分通过所述第一电极的第二部分连接，并且所述第二电极的第一部分通过所述第二电极的第二部分连接。

6.根据权利要求3所述的光伏器件，其中所述第一电极的第一部分与所述第二电极的第一部分交替布置。

7.根据权利要求1所述的光伏器件，其中所述基极区掺有第一导电类型的杂质，所述发射极区掺有第二导电类型的杂质，并且所述衬底掺有与所述基极区相同的导电类型的杂质。

8.根据权利要求1所述的光伏器件，其中所述基极区和所述发射极区形成在所述衬底中，或者所述基极区和所述发射极区形成在所述衬底上。

9.根据权利要求1所述的光伏器件，其中所述第一电极的悬垂在所述基极区上的侧部也与相邻的发射极区的一部分重叠。

10.根据权利要求9所述的光伏器件，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。

11.根据权利要求9所述的光伏器件，所述光伏器件进一步包括介于所述第一电极的所述侧部与相邻的发射极区的所述一部分之间的绝缘层。

12.根据权利要求11所述的光伏器件，其中所述绝缘层包括第一层和第二层。

13.根据权利要求12所述的光伏器件，其中所述第一层和所述第二层由不同的材料形成。

14.根据权利要求13所述的光伏器件，其中所述第一层由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二层由聚合物形成。

15.根据权利要求14所述的光伏器件，其中所述第一层具有到的厚度，并且所述第二层具有0.5μm到30μm的厚度。

16.根据权利要求12所述的光伏器件，其中所述第一层由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二层由氧化硅或氮化硅形成。

17.根据权利要求16所述的光伏器件，其中所述第一层具有到的厚度，并且所述第二层具有到的厚度。

18.根据权利要求11所述的光伏器件，其中所述绝缘层是具有或更大厚度的单层。

19.根据权利要求12所述的光伏器件，其中所述第一电极通过所述绝缘层中的接触孔接触所述基极区，并且所述第二电极通过所述绝缘层中的另一接触孔接触所述发射极区。

20.根据权利要求1所述的光伏器件，其中所述衬底的与所述第一电极和所述第二电极相对的前表面上具有钝化层，所述钝化层由掺杂的非晶半导体材料形成。