[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了具有双极晶体管、CMOS晶体管、漏极延伸MOS晶体管以及双扩散MOS晶体管的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底包括形成逻辑器件的逻辑区和形成高功率器件的高电压区；沟槽，所述沟槽在半导体衬底中；隔离层，所述隔离层在各个沟槽中；以及至少一个场绝缘层，所述至少一个场绝缘层被设置在高电压区中的半导体衬底的表面处。所述至少一个场绝缘层是包括第一部分和第二部分的硅局部氧化LOCOS层，所述第一部分延伸进入半导体衬底中，所述第二部分从半导体衬底的顶表面向上突出。本发明还提供了相关的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括形成逻辑器件的逻辑区和形成高功率器件的高电压区；沟槽，所述沟槽在所述半导体衬底中；隔离层，所述隔离层在相应沟槽中；以及至少一个场绝缘层，所述至少一个场绝缘层被设置在所述高电压区中的所述半导体衬底的表面处，其中，所述至少一个场绝缘层是包括第一部分和第二部分的硅局部氧化层，所述第一部分延伸进入所述半导体衬底中，所述第二部分从所述半导体衬底的顶表面向上突出，其中，所述场绝缘层的第一部分具有与所述场绝缘层的总厚度的40％相对应的第一厚度，以及其中，所述场绝缘层的第二部分具有与所述场绝缘层的总厚度的60％相对应的第二厚度。