[发明专利]电平移位电路以及利用电平移位电路的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210482802.1 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103325419B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 小川晓 申请(专利权)人: 力晶科技股份有限公司
主分类号: G11C19/00 分类号: G11C19/00;G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 周少杰
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种电平移位电路以及利用电平移位电路的半导体装置。该电平移位电路用以当具有一第一电平的一数据输入信号存储于一锁存器后,通过一输出反相器输出具有一第二电平的一数据输出信号,其中上述电平移位电路包括,一电平设定电路,当上述输出数据信号具有一低电压电平时,根据上述输入数据信号的变化将上述输出数据信号设定为一低电压电平。上述电压电平电路耦接至一输出反相器的一输出端,且具有一漏极以及一源极耦接至接地端的一NMOS晶体管,且其中当上述输入数据信号为一高电压位时,上述NMOS晶体管导通。
搜索关键词: 电平 移位 电路 以及 利用 半导体 装置
【主权项】:
一种电平移位电路,用以移位具有一第一电压电平的一输入数据信号至一第二电压电平,上述输入数据信号根据一锁存信号存储于一锁存器后,通过一输出反相器输出具有上述第二电压电平的一输出数据信号,其中上述电平移位电路包括:一电平设定电路,连接上述输出反相器的一输出端,当上述输出数据信号具有一低电压电平时,根据上述输入数据信号以及上述锁存信号将上述输出数据信号设定为一低电压电平。
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