[发明专利]电平移位电路以及利用电平移位电路的半导体装置

权利要求书

1.一种电平移位电路，用以移位具有一第一电压电平的一输入数据信号至一第二电压电平，上述输入数据信号根据一锁存信号存储于一锁存器后，通过一输出反相器输出具有上述第二电压电平的一输出数据信号，其中上述电平移位电路包括：

一电平设定电路，连接上述输出反相器的一输出端，当上述输出数据信号具有一低电压电平时，根据上述输入数据信号以及上述锁存信号将上述输出数据信号设定为一低电压电平。

2.如权利要求1所述的电平移位电路，其中上述电平设定电路耦接至上述输出反相器的一输出端点，且包括一NMOS晶体管，其具有一漏极以及一源极，该漏极耦接至接地端，且其中当上述输入数据信号为一高电压位时，上述NMOS晶体管导通。

3.如权利要求1所述的电平移位电路，其中上述电平设定电路还包括一第一反相器将具有高电压电平的上述输入数据信号反相为一反相信号，以及输出上述反相信号至上述输出反相器的上述输出端点。

4.如权利要求1所述的电平移位电路，其中上述电平设定电路还包括：

一第二反相器，将具有低电压电平的上述输入数据信号反相为一反相信号；以及

一NMOS晶体管，具有一漏极以及一源极，该漏极耦接至接地端，且其中上述NMOS晶体管随着上述反相信号导通。

5.如权利要求1所述的电平移位电路，其中上述电平设定电路输出具有低电压电平的上述输入数据信号至上述输出反相器的输出端。

6.如权利要求1所述的电平移位电路，其中上述锁存器具有互相串联的二反相器。

7.如权利要求6所述的电平移位电路，其中上述锁存器具有四个MOS晶体管，且上述锁存器为一CMOS触发器型锁存器。

8.如权利要求6所述的电平移位电路，其中上述锁存器包括二PMOS晶体管分别插入于上述二反相器以及一电源电压之间，其中上述锁存器共具有六个MOS晶体管，且上述锁存器为一CMOS触发器型锁存器。

9.如权利要求6所述的电平移位电路，其中上述锁存器包括二PMOS晶体管分别插入于上述二反相器以及一电源电压之间，以及二NMOS晶体管分别插入于上述二反相器以及接地端之间，其中上述锁存器共具有八个MOS晶体管，且上述锁存器为一CMOS触发器型锁存器。

10.如权利要求1所述的电平移位电路，其中上述锁存器以及上述输出反相器包括通过高于上述第一电压电平的一高电压电源供给驱动的晶体管，且上述第二电压电平高于上述第一电压电平。

11.如权利要求1所述的电平移位电路，可用于一半导体装置，其使用具有上述第一电压电平以及上述第二电压电平的二电源供给电压。

12.如权利要求11所述的电平移位电路，其中上述半导体装置为快闪存储器。

13.一半导体装置，包括：

一种电平移位电路，用以移位具有一第一电压电平的一输入数据信号至一第二电压电平，上述输入数据信号根据一锁存信号存储于一锁存器后，通过一输出反相器输出具有上述第二电压电平的一输出数据信号，其中上述电平移位电路包括：

一电平设定电路，连接上述输出反相器的一输出端，当上述输出数据信号具有一低电压电平时，根据上述输入数据信号以及上述锁存信号将上述输出数据信号设定为一低电压电平。