[发明专利]具有新式边缘鳍状件的FINFET结构有效
| 申请号： | 201210473533.2 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103247678A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括形成在硅衬底上的场效应晶体管(finFET)。该器件包括：多个有源区，每一个都具有被分为规则鳍状件和至少一个边缘鳍状件的多个等间隔鳍状件；栅极结构，在规则鳍状件之上；以及漏极区和源极区，电连接至规则鳍状件并且与至少一个边缘鳍状件隔开。边缘鳍状件可以是浮置的、连接至电势源或者用作去耦电容器的一部分。本发明还提供了一种具有新式边缘鳍状件的FINFET结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 新式 边缘 鳍状件 finfet 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括多个有源区，所述多个有源区中的每一个均包括：多个等间隔鳍状件，包括一个或多个规则鳍状件和至少一个边缘鳍状件；栅极结构，在所述一个或多个规则鳍状件之上；以及漏极区和源极区，所述漏极区和所述源极区电连接至所述一个或多个规则鳍状件并且与所述至少一个边缘鳍状件隔开，其中，所述一个或多个规则鳍状件、所述栅极结构、所述漏极区以及所述源极区形成鳍式场效应晶体管(FinFET)。
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