[发明专利]具有新式边缘鳍状件的FINFET结构有效
| 申请号： | 201210473533.2 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103247678A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 新式 边缘 鳍状件 finfet 结构 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，包括多个有源区，
所述多个有源区中的每一个均包括：
多个等间隔鳍状件，包括一个或多个规则鳍状件和至少一个边缘鳍状件；
栅极结构，在所述一个或多个规则鳍状件之上；以及
漏极区和源极区，所述漏极区和所述源极区电连接至所述一个或多个规则鳍状件并且与所述至少一个边缘鳍状件隔开，
其中，所述一个或多个规则鳍状件、所述栅极结构、所述漏极区以及所述源极区形成鳍式场效应晶体管(FinFET)。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构被进一步设置在所述至少一个边缘鳍状件之上。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述栅极结构和所述至少一个边缘鳍状件形成去耦电容器。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：互连件，将所述至少一个边缘鳍状件电连接至所述栅极结构。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：设置在所述至少一个边缘鳍状件之上的所述栅极结构的一部分，其中，所述栅极结构的该部分使所述栅极结构的导电元件与所述至少一个边缘鳍状件直接接触。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：互连件，将所述至少一个边缘鳍状件电连接至电压源。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个边缘鳍状件是一至四个鳍状件。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个规则鳍状件的有效沟道宽度具有小于约5％的变化。
9.一种基于鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件，包括：
数字区和模拟区，所述模拟区包括多个有源区，
其中，所述多个有源区中的每一个均包括：
多个鳍状件，包括一个或多个规则鳍状件和至少一个边缘鳍状件；
多个栅极结构，在所述一个或多个规则鳍状件之上；以及
漏极区和源极区，所述漏极区和所述源极区电连接至所述一个或多个规则鳍状件并且与所述至少一个边缘鳍状件隔开，
其中，所述至少一个边缘鳍状件和相邻的规则鳍状件之间的距离比两个相邻规则鳍状件之间的距离大一倍至五倍。
10.一种方法，包括：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上形成多个鳍状件以及所述多个鳍状件之间的氧化物层；
跨过所述多个鳍状件的第一部分形成多个栅极结构；
跨过所述多个鳍状件的第二部分形成源极区；
跨过所述多个鳍状件的所述第二部分形成漏极区；以及
跨过所述多个鳍状件的所述第二部分形成多条金属线，
其中，所述鳍状件的所述第二部分小于所述多个鳍状件，并且所述鳍状件的所述第一部分至少覆盖所述鳍状件的所述第二部分。
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