[发明专利]阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置有效
| 申请号： | 201210473102.6 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102944959A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 张弥 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L21/77;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层设置在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。相应地，提供所述阵列基板的制作方法、测试方法以及包括所述阵列基板的显示装置。本发明所述阵列基板以及采用本发明所述制作方法制成的阵列基板可以利用现有的测试设备进行TFT沟道特性测试。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 测试 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层覆盖在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，其特征在于，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。
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