[发明专利]阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层覆盖在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，其特征在于，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层在所述测试电极上的位置处设有过孔。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极绝缘层；所述栅极绝缘层覆盖在栅电极上，所述有源层设置在栅电极上方的栅极绝缘层上，所述源电极与漏电极分别设置在有源层上。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极绝缘层；所述栅极绝缘层覆盖在栅电极上，所述源电极与漏电极分别设置在栅电极两侧的栅极绝缘层上，所述有源层设置在所述栅电极上方的栅极绝缘层上，并延伸至所述源电极与漏电极上。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极延伸至所述测试电极上方。

6.一种显示装置，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）在基板上形成薄膜晶体管、像素电极和测试电极，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，并使所述像素电极与薄膜晶体管中的漏电极相连，所述测试电极形成在有源层上，以及所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘；

2）在完成步骤1）的基板上形成钝化层，并使所述钝化层覆盖在所述测试电极、有源层、源电极、漏电极以及像素电极上；

3）在完成步骤2）的基板上形成公共电极，并使所述公共电极隔着所述钝化层位于像素电极上方。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步骤2）还包括如下步骤：在所述钝化层位于所述测试电极上的位置处形成过孔。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，

所述步骤1）还包括形成栅极绝缘层的步骤，具体为：

在基板上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；在所述栅电极上方的栅极绝缘层上形成有源层；在所述有源层上分别形成源电极与漏电极。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，

所述步骤1）还包括形成栅极绝缘层的步骤，具体为：

在基板上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；分别在所述栅电极两侧的栅极绝缘层上形成源电极与漏电极；在所述栅电极上方的栅极绝缘层上、以及源电极与漏电极上形成有源层。

11.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤1）中，所述测试电极与所述源电极、漏电极在同一次构图工艺中形成；所述测试电极与所述源电极、漏电极的材质相同。

12.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述公共电极延伸至所述测试电极上方。

13.一种测试方法，用于测试如权利要求1所述的阵列基板上的薄膜晶体管的沟道性能，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

使待检测的像素上的公共电极与其他像素上的公共电极彼此分离；

在待检测的像素中，在所述测试电极上方的钝化层上形成过孔；以及

使所述公共电极与所述测试电极通过导电材料层电连接。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述导电材料层是在制造时便已隔着钝化层覆盖于所述测试电极上方的公共电极。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，通过激光烧熔的方法在所述测试电极上方的钝化层上形成过孔，并使导电材料层熔化并流入所述过孔中。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述导电材料层是在测试时用化学气相沉积设备沉积导电材料而形成。