[发明专利]阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示器制造技术领域，具体涉及一种阵列基板、包括所述阵列基板的显示装置、所述阵列基板的制作方法以及所述阵列基板的测试方法。

背景技术

随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，TFT-LCD（Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。其中，ADS（高级超维场转换技术，ADvanced SuperDimension Switch，又称ADSDS）模式TFT-LCD通过在同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，进而提高了TFT-LCD产品的画面品质，因而广泛应用于液晶显示器领域。

在TFT-LCD中，显示面板是其主要部件，一般由制作完成的阵列基板和彩膜基板对盒组装并灌注液晶而成。在ADS模式显示面板中，为了检测TFT沟道能否正常驱动，在阵列基板制作完成后，需要对位于阵列基板上的TFT沟道特性进行测试（一般包括对TFT开关电流、阈值电压及电子迁移率的测试）。具体测试方法为：先将测试设备的探针与像素电极连接（像素电极位于阵列基板的最上层，因此探针可直接与像素电极连接），由于漏电极与像素电极连接，故测试设备的探针可以通过像素电极与漏电极连接，然后通过测试设备的探针分别向栅线、数据线输入相应信号，根据测试设备从漏电极处取得的信号来判断TFT沟道能否正常驱动。

随着TFT技术的发展，行业内出现了一种能够在太阳光下可视的广视角面板——H-ADS（High aperture ADS，高开口率高级超维场转换技术）模式显示面板，在H-ADS模式显示面板的阵列基板中，由于像素电极位于阵列基板的中间部分（如图1所示，像素电极8位于栅极绝缘层5和钝化层9之间），使得测试设备的探针既无法与像素电极连接，也无法与漏电极连接（所述漏电极也位于阵列基板的中间部分，如图1所示，漏电极7b位于有源层6与钝化层9之间），因此无法利用现有的测试设备对H-ADS模式显示面板进行TFT沟道特性测试。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述问题，提供一种可利用现有的测试设备进行TFT沟道特性测试的阵列基板、包括所述阵列基板的显示装置、所述阵列基板的制作方法以及所述阵列基板的测试方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层覆盖在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。

优选地，所述钝化层在所述测试电极上的位置处设有过孔。

优选地，所述阵列基板还包括栅极绝缘层；所述栅极绝缘层覆盖在栅电极上，所述有源层设置在栅电极上方的栅极绝缘层上，所述源电极与漏电极分别设置在有源层上。

优选地，所述阵列基板还包括栅极绝缘层；所述栅极绝缘层覆盖在栅电极上，所述源电极与漏电极分别设置在栅电极两侧的栅极绝缘层上，所述有源层设置在所述栅电极上方的栅极绝缘层上，并延伸至所述源电极与漏电极上。

优选地，所述公共电极延伸至所述测试电极上方。

本发明还提供一种包括上述阵列基板的显示装置。

本发明还提供一种阵列基板的制作方法，其包括如下步骤：

1）在基板上形成薄膜晶体管、像素电极和测试电极，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，并使所述像素电极与薄膜晶体管中的漏电极相连，所述测试电极形成在有源层上，以及所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘；

2）在完成步骤1）的基板上形成钝化层，并使所述钝化层覆盖在所述测试电极、有源层、源电极、漏电极以及像素电极上；

3）在完成步骤2）的基板上形成公共电极，并使所述公共电极隔着所述钝化层位于像素电极上方。

优选地，所述步骤2）还包括如下步骤：在所述钝化层位于所述测试电极上的位置处形成过孔。