[发明专利]一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺无效
| 申请号： | 201210469181.3 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102923715A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李小港 | 申请（专利权）人： | 天威四川硅业有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01B3/50 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 方强 |
| 地址： | 611430 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，所述新工艺包括以下步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经第一次冷却后输送到HCl转化器；在HCl转化器中HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；将HCl转化器出来的尾气经第二次冷却后，尾气温度降至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；将H2经过吸附柱进行吸附除杂后，进行回收处理；将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3进行回收处理。本发明将HCl转化为氯硅烷后，避免了HCl的吸收和解析过程，简化了分离流程，即充分的回收了原料，又降低了蒸汽和电的消耗，降低了多晶硅的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 回收 多晶 生产 产生 尾气 新工艺 | ||
【主权项】：
一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺，所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2，其特征在于所述新工艺包括以下步骤：冷却步骤：将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经第一次冷却后输送到HCl转化器；反应步骤：在HCl转化器中HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷；气液分离步骤：将HCl转化器出来的尾气经第二次冷却后，尾气温度降至常温，再用SiCl4冷冻液进行喷淋，对H2与氯硅烷进行气液分离；H2纯化步骤：将H2经过吸附柱进行吸附除杂后，进行回收处理；与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤：将氯硅烷液体经过精馏后，再将分离出的HSiCl3进行回收处理。
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