[发明专利]一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺无效

专利信息
申请号: 201210469181.3 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN102923715A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 李小港 申请(专利权)人: 天威四川硅业有限责任公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;C01B3/50
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 方强
地址: 611430 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 回收 多晶 生产 产生 尾气 新工艺
【说明书】:

技术领域

 本发明属于化学工程领域,特别涉及一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺。

背景技术

多晶硅生产过程中还原炉尾气的主要成分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2,这部分物料需要得到充分的回收利用。现在普遍采用的方法是,将还原尾气冷却,在进一步的冷冻进行气液分离,H2、HCl混合气经氯硅烷喷淋吸收HCl,为了HCl吸收充分混合气要进行压缩,经喷淋吸收处理的H2中HCl的含量在0.1%左右,需要再经过吸附柱进行变压吸附除去HCl;溶解有HCl的氯硅烷要经过解析塔解析,分离氯硅烷和HCl。在这过程中,氢气压缩机的电耗占尾气分离总电耗的1/3左右,而解析塔需要高品位的蒸汽也占到全厂总蒸汽的1/3左右。在还原尾气分离的过程中HCl的分离是非常重要的一个环节,能耗占尾气分离总能耗的1/2左右,如果将HCl通过化学反应将尾气中HCl的含量降低到0.1%以下,将会在很大程度上简化了尾气分离的流程,节约了能耗、降低了成本,除此之外,还节约了大量的设备投资,提高了工艺的可靠性。

例如申请号为CN200710121058.1,公开号为CN101376078的中国专利“回收处理生产多晶硅所产生的尾气的方法”,公开了一种回收处理生产多晶硅所产生的尾气的方法,所述尾气主要包括氢气、氯化氢、和二氯二氢硅,包括以下步骤:使尾气通过液态的四氯化硅,以便氯化氢和二氯二氢硅溶解于液态的四氯化硅中,从而将氢气与氯化氢和二氯二氢硅分离,由此回收氢气;对溶解了氯化氢和二氯二氢硅的四氯化硅升温和/或加压,使氯化氢和二氯二氢硅从液态四氯化硅中解吸出来;和通过控制解吸出来的气态的氯化氢和二氯二氢硅的压力和/或温度使二氯二氢硅变为液态而氯化氢保持为气态,从而分离并分别回收氯化氢与二氯二氢硅。此专利的方法在实际操作中存在着能耗高的缺点,而且整个尾气分离流程复杂,设备投资成本高。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述问题,提出一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺。本发明通过将尾气中的HCl转化成氯硅烷,整个工序中减少了氢压机和吸收、解析塔装置这些设备,降低了尾气回收的电耗和蒸汽消耗,降低了多晶硅的生产成本。

本发明采用以下技术方案来实现:

一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺,所述尾气的组分包括H2、HCl、HSiCl3、SiCl4、H2SiCl2,其特征在于所述新工艺包括以下步骤:

冷却步骤:将还原炉输出的温度为500~600℃的尾气经第一次冷却后输送到HCl转化器;

反应步骤:在HCl转化器中HCl与HSiCl3、H2SiCl2反应完全生成相应的氯硅烷;

气液分离步骤:将HCl转化器出来的尾气经第二次冷却后,尾气温度降至常温,再用SiCl4冷冻液进行喷淋,对H2与氯硅烷进行气液分离;

H2纯化步骤:将H2经过吸附柱进行吸附除杂后,进行回收处理;

与H2纯化步骤同时进行的HSiCl3分离步骤:将氯硅烷液体经过精馏后,再将分离出的HSiCl3进行回收处理。

所述冷却步骤中,经第一次冷却后进入HCl转化器的尾气温度为50~500℃。在此过程中,采用换热器直接降至反应所需的温度,无需外供热两加热,充分的利用为其热量,节约能源降低电耗。

所述反应步骤中,反应温度为50~500℃,压力为0.1MPa~2.0MPa。所述反应步骤中,采用固定床反应器、流化床反应器或移动床反应器作为HCl转化器。在此过程中,尾气中的HCl进行充分的反应,含量降低至0.1%(重量比)以下,大大的降低了,氯硅烷分离和H2纯化步骤地能量消耗。

所述反应步骤中,采用多个HCl转化器,并用串联方式或并联方式将多个HCl转化器连接,提高了系统的稳定型,确保尾气各组分含量稳定,同时便于催化剂的更换。

所述反应步骤中,在HCl转化器中添装有催化剂。

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