[发明专利]半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法及该氢氟酸溶液的更换时期的管理方法

摘要

本发明提供一种测定灵敏度及测定精度高且高效的半导体晶片工艺用稀氢氟酸溶液的杂质分析方法。该杂质分析方法中，进行从浸渍槽收集该稀氢氟酸溶液的A工序、测量溶液中的Si的质量数28、P的质量数31和PO杂质的质量数47的质谱强度的B工序、将所收集的稀氢氟酸溶液干燥浓缩而固化的C-1工序、测定该固形物中的Si、P、PO元素在真空中的能量强度的C-2工序、和测量上述固形物在真空中的质谱强度的C-3工序，求出将C-3工序中求出的目的杂质的质谱强度和基体质量的谱强度合计而得到的谱强度与目的杂质的质谱强度的强度比，通过该强度比修正上述B工序中求出的质谱强度，求出稀氢氟酸溶液中的Si、P、PO的实际的杂质量。

主权项

一种半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：进行从氢氟酸溶液的浸渍槽收集该溶液的一部分的A工序、测量该溶液中的Si杂质的质量数28、P杂质的质量数31和PO杂质的质量数47中任一个质量数的质谱强度的B工序、将所收集的所述氢氟酸溶液的一部分滴加到硅半导体基板上且进行干燥浓缩而得到含有所述Si、P、PO中任一种元素的杂质的固形物的C‑1工序、在真空中测量该固形物的质谱强度的C‑2工序、和在真空中测量所述固形物的元素能量且确定所述固形物中的Si、O、P元素中任一种元素的能谱的C‑3工序，对照在该C‑3工序求出的所述Si、P、O元素中任一种元素的能谱强度和所述C‑2工序中的质量数28、31、47中任一个质量数的附近的质谱，确定Si、P和PO中任一种元素的谱强度，分别求出将该任一种元素的质谱强度和分别存在于该质谱附近的基体质量的谱强度合计而得到的谱强度与所述任一个的Si、P、PO的质量的谱强度的强度比，将该强度比与在工序B求出的Si、P、PO中任一种元素的质谱强度相乘，由此确定氢氟酸溶液中任一个的Si、P、PO的实际谱强度，利用使用含有Si、P、PO中任一种元素已知的ppm杂质量的标准试药研究得到的表示该标准溶液的质谱强度和ppm浓度的关系的检量线，定量所述氢氟酸溶液中任一个的Si、P、PO的ppm浓度。