[发明专利]半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法及该氢氟酸溶液的更换时期的管理方法

权利要求书

1.一种半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

进行从氢氟酸溶液的浸渍槽收集该溶液的一部分的A工序、测量该溶液中的Si杂质的质量数28、P杂质的质量数31和PO杂质的质量数47中任一个质量数的质谱强度的B工序、将所收集的所述氢氟酸溶液的一部分滴加到硅半导体基板上且进行干燥浓缩而得到含有所述Si、P、PO中任一种元素的杂质的固形物的C-1工序、在真空中测量该固形物的质谱强度的C-2工序、和在真空中测量所述固形物的元素能量且确定所述固形物中的Si、O、P元素中任一种元素的能谱的C-3工序，对照在该C-3工序求出的所述Si、P、O元素中任一种元素的能谱强度和所述C-2工序中的质量数28、31、47中任一个质量数的附近的质谱，确定Si、P和PO中任一种元素的谱强度，分别求出将该任一种元素的质谱强度和分别存在于该质谱附近的基体质量的谱强度合计而得到的谱强度与所述任一个的Si、P、PO的质量的谱强度的强度比，将该强度比与在工序B求出的Si、P、PO中任一种元素的质谱强度相乘，由此确定氢氟酸溶液中任一个的Si、P、PO的实际谱强度，利用使用含有Si、P、PO中任一种元素已知的ppm杂质量的标准试药研究得到的表示该标准溶液的质谱强度和ppm浓度的关系的检量线，定量所述氢氟酸溶液中任一个的Si、P、PO的ppm浓度。

2.如权利要求1所述的半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

氢氟酸溶液为浓度20%以下的稀氢氟酸溶液。

3.如权利要求1所述的半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

所述B工序的定量分析方法为大气压离子化质量分析法。

4.如权利要求1所述的半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

在所述C-1工序中得到的固形物通过硅半导体基板的加热进行干燥凝缩而形成。

5.如权利要求4所述的半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

所述硅半导体基板的加热在80℃～200℃的加热板上进行。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

在向所述硅半导体基板上滴加氢氟酸溶液的一部分之前，除去该硅半导体基板表面的氧化膜。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

所述C-1工序在ISO 0级～4级的范围的清洁室、清洁间、通风橱的任一个中进行。

8.如权利要求1所述的半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

求出所述氢氟酸溶液中和氢氟酸溶液的固形物中的Si、P、PO中任一种元素的成分量的分析法，使用28、31、47质量数进行测量。

9.一种半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

求出所述氢氟酸溶液的固形物中的Si、P、PO中任一种元素的成分量的工序通过在真空中离子化的质量分析法进行。

10.一种半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的杂质分析方法，其特征在于：

为了确定所述氢氟酸溶液加热后浓缩的杂质的固形物中的Si、P、O元素中任一种元素而进行分析的工序，通过在真空中照射电子束或X射线的能量分光分析法进行。

11.一种半导体晶片工艺用氢氟酸溶液的更换时期的管理方法，其特征在于：

通过权利要求1～10中任一项所述的氢氟酸溶液的杂质分析方法对在半导体晶片工艺重复使用的氢氟酸溶液中蓄积的Si、P、PO中任一种元素的杂质浓度进行定量，在超过规定的杂质浓度时更换氢氟酸溶液。