[发明专利]一种用CdTe和ZnS纳米晶共修饰TiO2纳米管阵列的制备方法

摘要

本发明属于无机纳米材料领域，涉及一种CdTe和ZnS纳米晶共修饰TiO2纳米管阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）用二次阳极氧化的方法制备出TiO2纳米管阵列；（2）通过连续离子层吸附（SILAR）法在制备好的TiO2纳米管壁上沉积CdTe纳米晶；（3）用相同的方法，即SILAR法在已沉积CdTe的TiO2纳米管壁上包覆ZnS纳米晶，制备CdTe和ZnS纳米晶共修饰的TiO2纳米管阵列。本发明可拓宽TiO2纳米管的吸收光谱至可见光区域并可成功地降低光生电子-空穴对的复合率，成功地提高了TiO2纳米管的光电性能；同时此方法的实验设备简单，操作方便，成本低，具有工业化生产的前景。

主权项

一种CdTe和ZnS纳米晶共修饰TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将高纯钛片超声除油，去除自然氧化膜，进行二次阳极氧化并经过热处理相转变后，制备出有序锐钛矿TiO2纳米管阵列；（2）采用连续离子层吸附与反应的方法，在步骤（1）制得的TiO2纳米管阵列的TiO2纳米管壁上沉积CdTe纳米晶；（3）采用连续离子层吸附与反应的方法在步骤（2）中已沉积CdTe纳米晶的TiO2纳米管壁上包覆ZnS纳米晶，制得CdTe和ZnS纳米晶共修饰TiO2纳米管阵列。