[发明专利]三维非易失性存储器件、包括它的存储系统及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维非易失性存储器件，所述三维非易失性存储器件包括：垂直沟道层，所述垂直沟道层从衬底突出；层间绝缘层和导电层图案，所述层间绝缘层和导电层图案沿着垂直沟道层交替地沉积；阻挡金属图案，所述阻挡金属图案包围每个导电层图案；电荷阻挡层，所述电荷阻挡层插入在垂直沟道层与阻挡金属图案之间；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层插入在阻挡金属图案与电荷阻挡层之间。

主权项

一种三维非易失性存储器件，包括：垂直沟道层，所述垂直沟道层从衬底突出；层间绝缘层和导电层图案，所述层间绝缘层和所述导电层图案沿着所述垂直沟道层交替地沉积；阻挡金属图案，所述阻挡金属图案包围所述导电层图案中的每个；电荷阻挡层，所述电荷阻挡层插入在所述垂直沟道层与所述阻挡金属图案之间；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层插入在所述阻挡金属图案与所述电荷阻挡层之间。