[发明专利]热压法制备ITO靶材的方法

摘要

本发明涉及ITO靶材，具体说是热压法制备ITO靶材的方法，其包括制取铟锡氢氧化物沉淀溶液；离心分离沉淀溶液中的沉淀物和液体；用水洗涤沉淀物，并离心分离沉淀物和水；干燥、煅烧沉淀物，得到ITO粉末；在ITO粉末中加入聚乙烯醇，利用模具将ITO粉末干压成成型体；将成型体置于热压炉中,制取ITO靶材的步骤。本发明通过控制合成溶液的温度和PH值等条件，可使ITO粉末达到纳米级，为热压法制备高密度的ITO靶材提供条件；同时本发明采用多次离心分离水洗的沉淀物，可有效去除沉淀物表面的杂质，有助于提高ITO粉末的导电性，从而提高ITO靶材的性能；而且本发明的热压法所需的成型压力较小，烧结温度低、时间短，生产成本低，可抑制晶粒长大，获得接近理论密度和较低气孔率的ITO靶材。

主权项

热压法制备ITO靶材的方法，其包括以下步骤：（1）首先将金属铟溶解于盐酸溶液中，向该溶液中加入四氯化锡，保持混合溶液中的铟锡质量比为9.45:1；然后将混合溶液导入三乙醇胺与聚乙烯吡咯烷酮溶液中，并加入氨水，形成合成溶液；接着对合成溶液加热，得到铟锡氢氧化物沉淀溶液；（2）离心分离沉淀溶液中的沉淀物和液体；（3）用水洗涤沉淀物，并离心分离沉淀物和水；（4）重复步骤（3）3次—5次，得到沉淀物；（5）干燥、煅烧步骤（4）的沉淀物，得到ITO粉末；（6）在ITO粉末中加入聚乙烯醇，利用模具将ITO粉末干压成成型体；（7）将成型体置于热压炉中,制取ITO靶材。