[发明专利]用于CdS晶片的抛光方法有效
| 申请号： | 201210445526.1 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102990503A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李晖;徐永宽;程红娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 田卫平 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于CdS晶片的抛光方法，包括：将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150g/cm2，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；最后将所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为10~100nm，pH值为9.5，抛光压力为60~120g/cm2，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料5~15wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，pH调节剂，通过本方法处理后的CdS晶片有效的降低了晶体表面的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cds 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种用于CdS晶片的抛光方法，其特征在于，包括：将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150g/cm2，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；将精磨后的所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为20~60nm，PH值为9.5，抛光压力为60~120g/cm2，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料1~15wt%，氧化剂为1~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。
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