[发明专利]用于CdS晶片的抛光方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体材料加工技术领域，尤其涉及一种用于CdS晶片的抛光方法。 

背景技术

Ⅱ—Ⅵ族单晶材料是优良的探测器材料和激光材料，CdS是直接跃进Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体，它是一种较好的窗口材料和过渡层材料，常用来制作光化学催化、半导体器件、发光器件、激光和光敏传感器。CdS可以制作紫外探测器，又是良好的红外窗口材料，因此被用于导弹的红外/紫外双色制导。因此，对CdS单晶材料研究有着很高的应用前景和军事意义。 

CdS单晶的表面质量与其器件的性能密切相关，但是现有的CdS单晶抛光工艺处理后的CdS单晶表面粗糙度大，抛光效果不好。 

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种用于CdS晶片的抛光方法，用以解决现有技术中CdS单晶抛光工艺处理后的CdS单晶表面粗糙度大，抛光效果不好的问题。 

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的： 

一种用于CdS晶片的抛光方法，包括： 

将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150妙/cm²，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5； 

将精磨后的所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为20~60nm，PH值为9.5，抛光压力为60~120妙/cm²，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料1~15wt%，氧化剂为1~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。 

优选地，所述聚氨酯抛光垫为LP-66型。 

优选地，所述磨料包括氧化铝，或者氧化铝和碳化硼的混合物，或者是氧化铝和碳化硅的混合物，或是氧化铝、碳化硼和碳化硅的混合物，当所述磨料为混合物时，所述氧化铝占所述混合物的重量分数大于80%。 

优选地，所述合成革抛光垫为FIWEL N0054型抛光垫。 

优选地，抛光液的成分包括：纳米磨料3~10wt%，氧化剂为1~2.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。 

优选地，所述纳米磨料包括二氧化硅，或者二氧化硅和氧化铈的混合物，当所述纳米磨料为二氧化硅和氧化铈时，二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1。 

优选地，所述抛光液的流量10~80ml/min。 

优选地，所述氧化剂为次氯酸钠或者是次氯酸钠和双氧水的混合物，当所述氧化剂为次氯酸钠和双氧水的混合物时，次氯酸钠与双氧水的体积比例大于5:1。 

优选地，所述表面活性剂为非离子性表面活性剂，包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯酰胺和多元醇中的一种或多种混合物。 

优选地，所述PH值调节剂为无机溶液和有机溶液，所述无机溶液为氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或多种，所述有机溶液为三异丙醇胺，三乙醇胺中的一种或两种，所述无机溶液和有机溶液的比例为1：1~5。 

本发明有益效果如下： 

本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，通过采用本发明的方法对CdS晶片进行粗磨、精磨和化学机械抛光处理，得到的CdS晶片的表面平整，粗糙度达到1nm以下，有效的降低了晶体表面的损伤，提高了晶体表面的质量。 

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。 

附图说明

图1为本发明实施例1的CdS晶片的抛光方法的流程图； 

图2为本发明实施例3的CdS晶片的抛光方法的流程图。 

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。 

实施例1 

本发明实施例提供的一种用于CdS晶片的抛光方法，参见图1，该方法包括：