[发明专利]用于CdS晶片的抛光方法

权利要求书

1.一种用于CdS晶片的抛光方法，其特征在于，包括：

将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，余量为去离子水，研磨液流量为1~50ml/min，研磨压力50~150g/cm²，转速40~80r/min，粗磨采用的研磨液的粒度为W7，精磨采用的研磨液的粒度为W1.5；

将精磨后的所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光，抛光液的粒度的大小为20~60nm，PH值为9.5，抛光压力为60~120g/cm²，转速60~100r/min，所述抛光液包括：纳米磨料1~15wt%，氧化剂为1~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚氨酯抛光垫为LP-66型抛光垫。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磨料为氧化铝，或者氧化铝和碳化硼的混合物，或者是氧化铝和碳化硅的混合物，或是氧化铝、碳化硼和碳化硅的混合物，当所述磨料为混合物时，所述氧化铝占所述混合物的重量分数大于80%。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述合成革抛光垫为FIWELN0054型抛光垫。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，抛光液包括：纳米磨料3~10wt%，氧化剂为1~2.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述纳米磨料包括二氧化硅，或者二氧化硅和氧化铈的混合物，当所述纳米磨料为二氧化硅和氧化铈时，二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述抛光液的流量10~80ml/min。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧化剂为次氯酸钠或者是次氯酸钠和双氧水的混合物，当所述氧化剂为次氯酸钠和双氧水的混合物时，次氯酸钠与双氧水的体积比例大于5:1。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述表面活性剂为非离子性表面活性剂，包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯酰胺和多元醇中的一种或多种混合物。

10.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述PH值调节剂为无机溶液和有机溶液，所述无机溶液为氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或多种，所述有机溶液为三异丙醇胺，三乙醇胺中的一种或两种，所述无机溶液和有机溶液的比例为1：1~5。