[发明专利]粘晶方法及其装置无效
| 申请号： | 201210443956.X | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103730377A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吕文镕;吴文献;苏濬贤 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种粘晶方法，其步骤包含有：将一基板加热至一预定温度；吸取至少一晶粒，该至少一晶粒具有一基础温度，该基础温度小于该预定温度；将该至少一晶粒固晶于该基板；冷却该已固晶的基板；以及将该已固晶的基板移至一上下料位置，加热另一基板至该预定温度，并重复上述的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种粘晶方法，其特征在于，其步骤包含有：将一基板加热至一预定温度；吸取至少一晶粒；将该至少一晶粒固晶于该基板；冷却已固晶的基板；以及将该已固晶的基板移至一上下料位置，加热另一基板至该预定温度，并重复上述的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210443956.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电梯控制方法和系统
- 下一篇：用于改善的结晶性的盖层
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
