[发明专利]粘晶方法及其装置无效
| 申请号: | 201210443956.X | 申请日: | 2012-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN103730377A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
| 发明(设计)人: | 吕文镕;吴文献;苏濬贤 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 方法 及其 装置 | ||
1.一种粘晶方法,其特征在于,其步骤包含有:
将一基板加热至一预定温度;
吸取至少一晶粒;
将该至少一晶粒固晶于该基板;
冷却已固晶的基板;以及
将该已固晶的基板移至一上下料位置,加热另一基板至该预定温度,并重复上述的步骤。
2.如权利要求1所述的粘晶方法,其中该预定温度为85至200℃。
3.如权利要求1所述的粘晶方法,其中该基板被一基板加热及冷却单元加热至该预定温度,并且该基板被该基板加热及冷却单元所冷却。
4.如权利要求1所述的粘晶方法,其中该至少一晶粒由一晶粒供应单元所提供。
5.如权利要求4所述的粘晶方法,其中该晶粒供应单元可供一具有多个晶粒的晶圆设置,该晶粒供应单元能够选择性将该晶圆转动一角度,该晶粒供应单元能选择性将该晶圆沿着一X轴向或一Y轴向移动一距离。
6.如权利要求1所述的粘晶方法,其中该至少一晶粒的吸取与固晶由一固晶单元所执行。
7.如权利要求1所述的粘晶方法,其特征在于,其进一步具有一第一视觉模块拍摄该至少一晶粒的影像,以供吸取该至少一晶粒。
8.如权利要求7所述的粘晶方法,其中该第一视觉模块拍摄该基板的影像,以补正该至少一晶粒的位置与该基板的位置。
9.如权利要求1所述的粘晶方法,其特征在于,其进一步具有一第二视觉模块由下往上拍摄该至少一晶粒的影像,以调整该至少一晶粒的位置。
10.一种粘晶装置,其特征在于,其包含有:
一基台;
一晶粒供应单元,其设于该基台的一端;
一基板加热及冷却单元,其设于该基台的另一端;以及
一固晶单元,其设于该基台的顶端,并且能够于该晶粒供应单元与该基板加热及冷却单元之间移动。
11.如权利要求10所述的粘晶装置,其中该基板加热及冷却单元具有至少一控温模块与至少一Y轴向移动模块,该控温模块设于该Y轴向移动模块。
12.如权利要求11所述的粘晶装置,其中该控温模块具有一附加电路板、一恒温板与一温度传感器,该附加电路板具有至少一冷却液流入管、至少一冷却液流出管、至少一加热管,该温度传感器设于该附加电路板与该恒温板之间,该恒温板具有至少一恒温液入管与一恒温液出管。
13.如权利要求12所述的粘晶装置,其中该控温模块进一步具有至少一支撑座,该至少一支撑座设于该附加电路板与该恒温板之间,该附加电路板的底部进一步具有一隔热板。
14.如权利要求10所述的粘晶装置,其中该固晶单元具有一固晶单元Y轴向移动模块、一取放固晶模块、一取放固晶模块Z轴向对位模块与一取放固晶模块X轴向移动模块,该固晶单元Y轴向移动模块设于该基台的两侧,该取放固晶模块Z轴向对位模块耦接该取放固晶模块,该取放固晶模块X轴向移动模块耦接该取放固晶模块与该固晶单元Y轴向移动模块。
15.如权利要求14所述的粘晶装置,其中该取放固晶模块具有多个晶粒吸嘴、多个角度对位模块、多个真空吸放转接器与多个可调整加压模块,各晶粒吸嘴耦接各角度对位模块,各真空吸放转接器耦接各晶粒吸嘴,各可调整加压模块耦接各真空吸放转接器。
16.如权利要求10所述的粘晶装置,其特征在于,其进一步具有一第一视觉模块设于该取放固晶模块。
17.如权利要求10所述的粘晶装置,其特征在于,其进一步具有一第二视觉模块,其设于该基台的顶端,并且位于该晶粒供应单元与该基板加热及冷却单元之间。
18.如权利要求10所述的粘晶装置,其中该晶粒供应单元具有一晶圆工作台与一晶粒顶出模块,该晶粒顶出模块设于该晶圆工作台的底端。
19.如权利要求18所述的粘晶装置,其中该晶圆工作台具有一晶圆盘载台、一旋转模块、一工作台X轴向移动单元与一工作台Y轴向移动单元,该晶圆盘载台设于该旋转模块的顶端,该工作台X轴向移动单元与该工作台Y轴向移动单元设于该晶圆盘载台的底端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





