[发明专利]像素结构的制作方法有效
申请号: | 201210443855.2 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN103811417A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 陈柏孝;吴健豪;吴荣彬;赵长明 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/136;G03F7/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种像素结构的制作方法。于基底上形成图案化导体层,包括栅极、扫描线及导体图案。于基底上形成栅绝缘层、金属氧化物材料层及蚀刻终止材料层。以图案化导体层为光掩模,通过背曝制作工艺于蚀刻终止材料层上形成图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层为掩模,于栅极上方形成金属氧化物通道层及蚀刻终止层。于蚀刻终止层上形成源极与漏极。于基底上形成保护层。使用半色调光掩模,于保护层上形成具有开口的感光层,栅极上方的感光层的厚度大于漏极与扫描线上方的感光层的厚度,开口暴露出导体图案上方的保护层。以感光层为掩模定义保护层,以及移除扫描线及导体图案上方的金属氧化物材料层及蚀刻终止材料层。形成与漏极电连接的像素电极。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种像素结构的制作方法,包括:在一基底上形成一第一图案化导体层,该第一图案化导体层包括一栅极、与该栅极连接的一扫描线以及一第一导体图案;在该基底上形成一栅绝缘层,以覆盖该第一图案化导体层;依序于该栅绝缘层上形成一金属氧化物材料层与一蚀刻终止材料层;以该第一图案化导体层为光掩模,通过一背曝制作工艺于该蚀刻终止材料层上形成一图案化光致抗蚀剂层;以该图案化光致抗蚀剂层为掩模,移除部分该金属氧化物材料层及部分该蚀刻终止材料层,以于该栅极上方形成一金属氧化物通道层与一蚀刻终止层,以及于该扫描线与该第一导体图案上方形成一金属氧化物图案与一蚀刻终止图案;在该基底上形成一第二图案化导体层,该第二图案化导体层包括一源极与一漏极以及与该源极连接的一数据线,该源极与该漏极位于该栅极上方的该蚀刻终止层的两侧上;在该基底上形成一保护层,以覆盖该第二图案化导体层;使用一半色调光掩模,在该保护层上形成具有一第一开口的一感光层,其中该栅极上方的该感光层的厚度大于该漏极与该扫描线上方的该感光层的厚度,该第一开口暴露位于该第一导体图案上方的该保护层;以该感光层为掩模,移除部分该保护层、该蚀刻终止图案以及该金属氧化物图案,以于该保护层中形成一第一接触窗开口、一第二接触窗开口以及一第三接触窗开口,其中该第一接触窗开口暴露出该第一导体图案,该第二接触窗开口暴露出该漏极,以及该第三接触窗开口暴露出该扫描线上方的该栅绝缘层;移除该感光层;以及在该保护层上形成一图案化透明导电层,该图案化透明导电层包括一像素电极,该像素电极经由该第二接触窗开口与该漏极电连接。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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