[发明专利]像素结构的制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，包括:

在一基底上形成一第一图案化导体层，该第一图案化导体层包括一栅极、与该栅极连接的一扫描线以及一第一导体图案；

在该基底上形成一栅绝缘层，以覆盖该第一图案化导体层；

依序于该栅绝缘层上形成一金属氧化物材料层与一蚀刻终止材料层；

以该第一图案化导体层为光掩模，通过一背曝制作工艺于该蚀刻终止材料层上形成一图案化光致抗蚀剂层；

以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该金属氧化物材料层及部分该蚀刻终止材料层，以于该栅极上方形成一金属氧化物通道层与一蚀刻终止层，以及于该扫描线与该第一导体图案上方形成一金属氧化物图案与一蚀刻终止图案；

在该基底上形成一第二图案化导体层，该第二图案化导体层包括一源极与一漏极以及与该源极连接的一数据线，该源极与该漏极位于该栅极上方的该蚀刻终止层的两侧上；

在该基底上形成一保护层，以覆盖该第二图案化导体层；

使用一半色调光掩模，在该保护层上形成具有一第一开口的一感光层，其中该栅极上方的该感光层的厚度大于该漏极与该扫描线上方的该感光层的厚度，该第一开口暴露位于该第一导体图案上方的该保护层；

以该感光层为掩模，移除部分该保护层、该蚀刻终止图案以及该金属氧化物图案，以于该保护层中形成一第一接触窗开口、一第二接触窗开口以及一第三接触窗开口，其中该第一接触窗开口暴露出该第一导体图案，该第二接触窗开口暴露出该漏极，以及该第三接触窗开口暴露出该扫描线上方的该栅绝缘层；

移除该感光层；以及

在该保护层上形成一图案化透明导电层，该图案化透明导电层包括一像素电极，该像素电极经由该第二接触窗开口与该漏极电连接。

2.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中移除部分该保护层、该蚀刻终止图案以及该金属氧化物图案的步骤包括：

以具有该第一开口的该感光层为掩模，移除该第一导体图案上方的部分该保护层、部分该蚀刻终止图案以及部分该金属氧化物图案，以于该保护层中形成暴露出该第一导体图案的该第一接触窗开口；

移除该漏极与该扫描线上方厚度较薄的该感光层，以于该感光层中形成一第二开口与一第三开口，且留下来的该感光层位于该栅极上方，其中该第二开口与该第三开口分别暴露该漏极与该扫描线上方的该保护层；以及

以具有该第二开口与该第三开口的该感光层为掩模，移除部分该保护层、剩余的该蚀刻终止图案以及剩余的该金属氧化物图案，以于该保护层中形成该第二接触窗开口与该第三接触窗开口。

3.如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其中经由该第二开口与该第三开口移除部分该保护层的方法包括：

通过一第一蚀刻制作工艺经由该第二开口与该第三开口移除该保护层以及剩余的该蚀刻终止图案；以及

通过一第二蚀刻制作工艺经由该第三开口移除剩余的该金属氧化物图案。

4.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中图案化透明导电层还包括一透明导电图案，该透明导电图案经由该第一接触窗开口与该第一导电图案电连接。

5.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中该金属氧化物材料层的材料包括氧化铟镓锌。

6.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中该蚀刻终止材料层的材料包括氧化硅或氮化硅。

7.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中该蚀刻终止材料层的材料与该保护层的材料相同。

8.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中移除部分该蚀刻终止材料层的方法包括一干式蚀刻制作工艺。

9.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中移除部分该金属氧化物材料层的方法包括一湿式蚀刻制作工艺。