[发明专利]薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置无效
| 申请号： | 201210435349.9 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102929052A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 高玉杰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置，属于液晶显示领域。其中，薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括：设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。本发明的技术方案能够优化显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 场效应 晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括：设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。
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