[发明专利]薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括：设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。

2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极连接线与所述亚像素区域的与数据线平行的第一中线相重合。

3.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述条状像素电极与所述像素电极连接线成一定角度，所述角度为79~83°。

4.根据权利要求2所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极连接线两侧的条状像素电极相对于所述像素电极连接线对称设置。

5.根据权利要求2或3或4所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述亚像素区域的与栅线平行的第二中线两侧的条状像素电极相对于所述第二中线对称设置。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1~5中任一项所述的薄膜场效应晶体管阵列基板。

7.一种制造如权利要求1~5中任一项所述的薄膜场效应晶体管阵列基板的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

通过第一次构图工艺，在所述基板上形成由第一透明导电层组成的公共电极的图形；

通过第二次构图工艺，在经过所述第一次构图工艺的所述基板上形成由第一金属层组成的栅电极、栅线的图形；

通过第三次构图工艺，在经过所述第二次构图工艺的所述基板上形成栅绝缘层和由第二金属层组成的漏电极、源电极和数据线的图形；

通过第四次构图工艺，在经过所述第三次构图工艺的所述基板上形成包括有像素电极过孔的绝缘层的图形；

通过第五次构图工艺，在所述绝缘层上形成由第二透明导电层组成的像素电极的图形，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏电极相连接。