[发明专利]薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器）面板一般是由起开关作用的TFT阵列基板以及涂有RGB的彩膜基板构成，然后在两层基板之间填充液晶层。其中，TFT阵列基板通过各层膜的沉积、刻蚀以后形成栅极层、源漏极层、像素电极以及公共电极层。

在高级超维场转换技术（Advanced Super Dimension Switch，简称ADS）液晶显示模式中，传统的像素电极结构如图1所示，在亚像素区域形成有多个条状像素电极3，条状像素电极3的结构为Slit（狭缝）状，然后像素电极连接线将Slit状的条状像素电极3的周边相连构成一个完整的像素电极。由于ADS模式液晶显示的特性，此种像素电极结构中，像素电极和公共电极之间的交叠面积比较大，造成像素电极和公共电极之间的C_st(存储电容)相对较大，使得像素充电困难。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置，能够优化显示效果。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括：设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。

进一步地，上述方案中，所述像素电极连接线与所述亚像素区域的与数据线平行的第一中线相重合。

进一步地，上述方案中，所述条状像素电极与所述像素电极连接线成一定角度，所述角度为79~83°。

进一步地，上述方案中，所述像素电极连接线两侧的条状像素电极相对于所述像素电极连接线对称设置。

进一步地，上述方案中，所述亚像素区域的与栅线平行的第二中线两侧的条状像素电极相对于所述第二中线对称设置。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的薄膜场效应晶体管阵列基板。

本发明实施例还提供了一种制造如上所述的薄膜场效应晶体管阵列基板的制造方法，包括：

提供一基板；

通过第一次构图工艺，在所述基板上形成由第一透明导电层组成的公共电极的图形；

通过第二次构图工艺，在经过所述第一次构图工艺的所述基板上形成由第一金属层组成的栅电极、栅线的图形；

通过第三次构图工艺，在经过所述第二次构图工艺的所述基板上形成栅绝缘层和由第二金属层形成的漏电极、源电极和数据线的图形；

通过第四次构图工艺，在经过所述第三次构图工艺的所述基板上形成包括有像素电极过孔的绝缘层的图形；

通过第五次构图工艺，在所述绝缘层上形成由第二透明导电层组成的像素电极的图形，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏电极相连接。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，像素电极连接线垂直设置在亚像素区域中部、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连形成整个像素电极，本发明的技术方案能够减小像素电极与公共电极的交叠面积，从而减小了像素电极与公共电极间的存储电容，使得像素电极更易充电；另外，像素电极连接线与数据线之间的距离增大，减小了像素电极与数据线之间的侧向电容，从而降低了像素电极竖直方向上的串扰；像素电极与栅线一侧的侧向电场减小，从而降低了该区域漏光的面积；综上所述，本发明的技术方案能够优化液晶显示面板的显示效果。

附图说明

图1为现有技术中的像素电极的结构示意图；

图2为本发明实施例一薄膜场效应晶体管阵列基板的像素电极的结构示意图；

图3为本发明实施例二薄膜场效应晶体管阵列基板的像素电极的结构示意图；

图4为现有技术中液晶分子的偏转示意图；

图5为本发明实施例二薄膜场效应晶体管阵列基板的液晶分子的偏转示意图。

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。