[发明专利]TFT阵列基板、制备方法及量子点发光二极管显示器件

摘要

本发明公开了一种TFT阵列基板、其制备方法及量子点发光二极管显示器件，采用半色调掩膜板以及双氧水刻蚀液，可以通过一次构图工艺分别在氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在源漏极层形成源漏极的图形，这样，就可以在TFT结构中将源漏极直接设置在氧化物半导体层之上，不用在两者之间设置刻蚀阻挡层；并将该TFT结构的顶栅型结构应用于QD-LED显示器件的结构中，能实现结构简单的TFT阵列基板以及QD-LED器件，节省其制作工艺流程，降低了生产成本。

主权项

一种薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上。