[发明专利]TFT阵列基板、制备方法及量子点发光二极管显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板、其制备方法及量子点发光二极管显示器件。

背景技术

目前，有源阵列显示面板中使用的薄膜晶体管（TFT）阵列基板的TFT由依次设置的栅极、氧化物半导体层、以及源漏极组成，在其制备过程中受到制备工艺的限制，一般会在氧化物半导体层和源漏极之间设置刻蚀阻挡层，以防止在对源漏极层进行构图时，刻蚀液对位于其下层的氧化物半导体层影响。而设置的刻蚀阻挡层会增加TFT在制备过程中的制备工艺。

量子点又可称为纳米晶，是一种由II－VI族或III－V族元素组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～10nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。可以通过改变量子点的尺寸大小来控制量子点的发射光谱，通过改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。以CdTe量子为例，当它的粒径从2.5nm生长到4.0nm时，它们的发射波长可以从510nm红移到660nm。

目前，量子点作为一种显示材料且已经被广泛使用在了显示领域，利用量子点作为发光材料而制造出的显示器件称为量子点发光二极管显示器件（QD-LED，Quantum Dot Light－Emitting Display）。现有的QD-LED显示器件采用的结构和有机电致发光显示器件（OLED，Organic Light－Emitting Display）相类似，然而现有的QD-LED显示器件的制备需要较多的工艺步骤，制备效率较低，并且生产出的产品良率也较低，增加了生产成本。

发明内容

本发明实施例提供了一种TFT阵列基板、其制备方法及量子点发光二极管显示器件，用以优化现有的TFT阵列基板以及QD-LED器件结构和制备工艺，降低生产成本。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上。

本发明实施例提供了一种量子点发光二极管显示器件，包括：

下衬底基板；

位于所述下衬底基板上的氧化物半导体层；

直接设置于所述氧化物半导体层之上的源漏极，所述源漏极相对而置形成沟道结构；

位于所述源漏极上的绝缘层，所述绝缘层与每个像素单元的开口区域对应的位置具有一个或多个微孔结构；

位于所述绝缘层的微孔结构中的量子点发光层；

位于所述绝缘层上的透明电极；

直接设置于所述透明电极之上且位于所述沟道结构上方的栅极；以及，

位于所述栅极上的上衬底基板。

本发明实施例提供了一种本发明实施例提供的上述薄膜晶体管TFT阵列基板的制备方法，包括：

依次形成氧化物半导体层和源漏极；

采用半色调掩膜板以及第一双氧水刻蚀液，通过一次构图工艺分别在所述氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在所述源漏极层形成源漏极的图形。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的一种TFT阵列基板、其制备方法及量子点发光二极管显示器件，采用半色调掩膜板以及双氧水刻蚀液，可以通过一次构图工艺分别在氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在源漏极层形成源漏极的图形，这样，就可以在TFT结构中将源漏极直接设置在氧化物半导体层之上，不用在两者之间设置刻蚀阻挡层；并将该TFT结构的顶栅型结构应用于QD-LED显示器件的结构中，能实现结构简单的TFT阵列基板以及QD-LED器件，节省其制作工艺流程，降低了生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例提供的QD-LED的结构示意图之一；

图2为本发明实施例提供的QD-LED的结构示意图之二；

图3为本发明实施例提供的QD-LED的结构示意图之三；

图4为本发明实施例提供的QD-LED制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的TFT阵列基板、其制备方法及量子点发光二极管显示器件的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各层薄膜厚度和区域大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种TFT阵列基板中，在TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上，省去了在两者之间设置的刻蚀阻挡层。

具体地，源漏极的材料一般为铜Cu或钼Mo等金属。