[发明专利]TFT阵列基板、制备方法及量子点发光二极管显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述源漏极的材料为铜Cu或钼Mo。

3.一种量子点发光二极管显示器件，其特征在于，包括：

下衬底基板；

位于所述下衬底基板上的氧化物半导体层；

直接设置于所述氧化物半导体层之上的源漏极，所述源漏极相对而置形成沟道结构；

位于所述源漏极上的绝缘层，所述绝缘层与每个像素单元的开口区域对应的位置具有一个或多个微孔结构；

位于所述绝缘层的微孔结构中的量子点发光层；

位于所述绝缘层上的透明电极；

直接设置于所述透明电极之上且位于所述沟道结构上方的栅极；以及，

位于所述栅极上的上衬底基板。

4.如权利要求3所述的显示器件，其特征在于，还包括：

位于所述量子点发光层和所述透明电极之间的空穴传输层。

5.如权利要求3所述的显示器件，其特征在于，还包括：

位于所述透明电极之上且与所述栅极同层设置的阳极，所述透明电极被所述栅极覆盖的区域与其他区域相互绝缘。

6.如权利要求3所述的显示器件，其特征在于，还包括：

位于所述下衬底基板和所述氧化物半导体层之间的缓冲层。

7.如权利要求3-6任一项所述的显示器件，其特征在于，还包括：

位于所述上衬底基板和所述栅极之间的保护层。

8.如权利要求7所述的显示器件，其特征在于，当每个像素单元填充的量子点材料发单色光时，所述保护层为透明保护层；

当每个像素单元填充的量子点材料发白色光时，所述保护层为仅允许单色光通过的彩色滤光层。

9.一种如权利要求1所述的薄膜晶体管TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

依次形成氧化物半导体层和源漏极；

采用半色调掩膜板以及第一双氧水刻蚀液，通过一次构图工艺分别在所述氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在所述源漏极形成源漏极的图形。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一双氧水刻蚀液具体包括：双氧水、源漏极金属离子络合剂、双氧水的稳定剂以及表面活性剂，且该第一双氧水刻蚀液的PH值在6-8之间。

11.如权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，当所述TFT阵列基板用于量子点发光二极管显示器件时，还包括：

在所述源漏极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层与每个像素单元的开口区域对应的位置形成一个或多个微孔结构；

在所述微孔结构内填充量子点材料，形成量子点发光层；

在所述绝缘层上依次形成透明电极层以及栅极层，并采用半色调掩膜板以及第二双氧水刻蚀液，通过一次构图工艺分别在所述栅极层形成栅极的图形，以及在所述透明电极层形成透明电极的图形；

在所述栅极层上设置上衬底基板。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述微孔结构内填充量子点材料，形成量子点发光层之后，还包括：

在所述量子点发光层之上形成空穴传输层。

13.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第二双氧水刻蚀液具体包括：双氧水、栅极金属离子络合剂、双氧水的稳定剂以及表面活性剂，且该第二双氧水刻蚀液的PH值在6-8之间。

14.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述栅极层形成栅极的图形时，还包括：在所述栅极层形成阳极的图形；

在所述透明电极层形成透明电极的图形，具体包括：在所述透明电极层形成透明电极的图形中，被所述栅极覆盖的区域与其他区域相互绝缘。

15.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在形成氧化物半导体层之前，还包括：

在所述下衬底基板之上形成缓冲层。

16.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述栅极层上设置上衬底基板之前，还包括：

在所述栅极之上形成保护层。