[发明专利]半导体纳米线的固态光学组件及其控制方法无效
| 申请号: | 201210431384.3 | 申请日: | 2012-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN103123939A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
| 发明(设计)人: | 石玉清;李俊宏;陈家进;林奇锋;方育斌;李铭孝;甘恒全 | 申请(专利权)人: | 陈家进 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L33/06 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种半导体纳米线的固态光学组件及其控制方法,包括一纳米线、一第一电极、一第二电极、一电子电路模块及一微致动组件;纳米线具有第一端与第二端;第一电极连接于纳米线的第一端;第二电极连接于纳米线的第二端;电子电路模块连接第一电极与第二电极;微致动组件与纳米线结合,用来对纳米线施予一外力,在纳米线中形成最高占用分子轨域及最低未占用分子轨域;最高占用分子轨域及最低未占用分子轨域是分别作为n型半导体及p型半导体,使得纳米线处于接受外力的状态时,成为一半导体。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 纳米 固态 光学 组件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体纳米线的固态光学组件,包括:一纳米线,具有一第一端与一第二端;一第一电极,连接于所述第一端;一第二电极,连接于所述第二端;一电子电路模块,连接第一电极与第二电极;一微致动组件,与所述纳米线结合,用于对纳米线施予一外力,在所述纳米线中形成最高占用分子轨域及最低未占用分子轨域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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