[发明专利]半导体纳米线的固态光学组件及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体纳米线的固态光学组件所属的技术领域，特别是与一种能作为电致发光组件或光伏组件的半导体纳米线的固态光学组件及其控制方法有关的技术。

背景技术

由于全球人口快速增长、全球暖化、气候骤变、基本生存资源逐渐匮乏以及地球环境污染日益严重等现状已成为人类急需面对的问题，所以，如何思考并实现可持续生存，是当前人类所面临最严酷的挑战。面对能源匮乏，方兴未艾的太阳能与发光二极管产业正成为一个重要的被关注议题。如今相关产业的产品已朝迈入纳米尺寸的方向前进，且应用半导体制程概念制作各种光伏组件或电致发光组件所需的P型半导体与N型半导体。

如美国专利公告第7,254,151号所揭示的Nanoscale coherent optical components，是采用掺杂(doping)制程，制作发光组件中所需的P N接口。

如美国专利公告第7,435,996号所揭示的Nanowire light emitting device and method of fabricating the same，是采用掺杂(doping)制程，从而在发光组件中制作所需的P N接口。

如美国专利公开第2006/0273328号所揭示的Light emitting nanowires for macroelectronics，是采用异质材料(heterostructure)的制作制程，从而在发光组件中制作所需的P N接口。

如美国专利公告第7,396,696号所揭示的Method for manufacturing super bright light emitting diode of nanorod array having InGaN quantum well，是采用掺杂(doping)制程，从而在发光组件中制作所需的P N接口。

如美国专利公告第7,816,700号所揭示的Light emitting diode employing an array of nanorods and method of fabricating the same，是采用掺杂(doping)制程，从而在发光组件中制作所需的P N接口。

如美国专利公告第7,910,915号所揭示的Nanowire devices and systems, light-emitting nanowires, and methods of precisely positioning nanoparticles，是采用掺杂(doping)制程，从而在发光组件中制作所需的P N接口。

如美国专利公告第7,863,625号所揭示的Nanowire-based light-emitting diodes and light-detection devices with nanocrystalline outer surface，也是采用掺杂(doping)制程，从而在发光组件中制作所需的P N接口。

再如美国专利公告第7,847,180号所揭示的Nanostructure and photovoltaic cell implementing same，是采用异质材料(heterostructure)的制作制程，从而在光伏组件中制作所需的P N接口。

再如美国专利公告第7,858,965号及7,943,847号分别揭示的Nanowire heterostructures及Apparatus and methods for solar energy conversion using nanoscale cometal structures，均采用异质材料(heterostructure)的制作制程，从而在光伏组件中制作所需的P N接口。

如上文所述，现今相关产业制作各种光伏组件抑或电致发光组件所需的P型半导体与N型半导体时，皆采用掺杂(doping)或异质材料(heterostructure)的技术。

发明内容