[发明专利]半导体纳米线的固态光学组件及其控制方法无效
| 申请号: | 201210431384.3 | 申请日: | 2012-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN103123939A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
| 发明(设计)人: | 石玉清;李俊宏;陈家进;林奇锋;方育斌;李铭孝;甘恒全 | 申请(专利权)人: | 陈家进 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L33/06 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 纳米 固态 光学 组件 及其 控制 方法 | ||
1.一种半导体纳米线的固态光学组件,包括:
一纳米线,具有一第一端与一第二端;
一第一电极,连接于所述第一端;
一第二电极,连接于所述第二端;
一电子电路模块,连接第一电极与第二电极;
一微致动组件,与所述纳米线结合,用于对纳米线施予一外力,在所述纳米线中形成最高占用分子轨域及最低未占用分子轨域。
2. 根据权利要求1所述的半导体纳米线的固态光学组件,其特征在于,所述纳米线是由单一材料形成的。
3..根据权利要求1所述的半导体纳米线的固态光学组件,其特征在于,所述纳米线的材料是选自第二、第三、第四及第五族元素。
4..根据权利要求1所述的半导体纳米线的固态光学组件,其特征在于,所述微致动组件对纳米线施予的外力是用来扭转该纳米线的。
5..根据权利要求1所述的半导体纳米线的固态光学组件,其特征在于,所述电子电路模块具有一蓄电组件,所述纳米线是作为一光伏组件的。
6..根据权利要求1所述的半导体纳米线的固态光学组件,其特征在于,所述电子电路模块是用来对纳米线提供电源的,所述纳米线是作为一电致发光组件的。
7. 一种半导体纳米线的固态光学组件的控制方法,其特征在于,所述半导体纳米线的固态光学组件具有一纳米线、一电子电路模块以及一微致动组件,所述微致动组件与纳米线结合,所述控制方法包括:通过所述微致动组件对纳米线施予一外力,使该纳米线中形成最高占用分子轨域及最低未占用分子轨域。
8. 根据权利要求7所述的半导体纳米线的固态光学组件的控制方法,其特征在于,所述微致动组件对纳米线施予的外力是用来扭转纳米线的。
9..根据权利要求7所述的半导体纳米线的固态光学组件的控制方法,其特征在于,还包括一个以所述电子电路模块,对纳米线提供电源,使得纳米线发光的步骤。
10..根据权利要求7所述的半导体纳米线的固态光学组件的控制方法,其特征在于,所述电子电路模块还包括一蓄电组件,该控制方法还包括一个以光线照射所述纳米线,使纳米线产生电流以对蓄电组件进行充电的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈家进,未经陈家进许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210431384.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





